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首页 > 热门关键词 > 安世滤波器
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HEF4001B 是一款四 2 输入或非门。输入包含钳位二极管,因此可使用限流电阻将输入连接到高于 VDD 的电压。
数据手册
  • 5+

    ¥2.2303
  • 50+

    ¥1.81
  • 150+

    ¥1.6298
  • 500+

    ¥1.405
  • 2500+

    ¥1.0193
  • 5000+

    ¥0.9592
  • 有货
  • 解码三个二进制加权地址输入(A0、A1 和 A2)为八个互斥输出(Y0 至 Y7)。具有三个使能输入(E1、E2 和 E3)。除非 E1 和 E2 为低电平且 E3 为高电平,否则每个输出都为低电平。此多使能功能允许仅使用四个 '238 IC 和一个反相器轻松并行扩展为 1-of-32(5 至 32 线)解码器。可以通过使用一个低电平有效使能输入作为数据输入,其余使能输入作为选通信号,用作八路输出解复用器。输入包括钳位二极管,这允许使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3197
    • 50+

      ¥1.8579
    • 150+

      ¥1.6599
    • 500+

      ¥1.413
    • 2500+

      ¥1.303
    • 5000+

      ¥1.2371
  • 有货
  • 74LV4052 是一个双单极四掷模拟开关,适用于4:1多路复用器/解复用器应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3236
    • 50+

      ¥1.8319
    • 150+

      ¥1.6211
    • 500+

      ¥1.3582
    • 2500+

      ¥1.2411
    • 5000+

      ¥1.1708
  • 有货
  • NPN中功率晶体管,采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3674
    • 50+

      ¥1.8833
    • 150+

      ¥1.6758
    • 1000+

      ¥1.417
    • 2000+

      ¥1.3017
    • 5000+

      ¥1.2326
  • 有货
  • 是高速硅栅CMOS器件,与低功耗肖特基TTL (LSTTL) 引脚兼容,符合JEDEC标准No. 7-A。是8位、非反相、串行输入、并行输出移位寄存器,为8位D型存储寄存器提供输入。移位和存储寄存器均提供独立时钟 (SHCP和STCP) 和直接覆盖清除 (SHR和STR) 功能。提供串行输出 (Q7S) 用于级联。移位和存储寄存器时钟均为正边沿触发。如果用户希望将两个时钟连接在一起,移位寄存器将始终比存储寄存器超前一个计数脉冲。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4205
    • 50+

      ¥1.9301
    • 150+

      ¥1.72
    • 500+

      ¥1.4578
    • 2500+

      ¥1.3411
    • 5000+

      ¥1.271
  • 有货
  • 74HC390、74HCT390 是双 4 位十进制纹波计数器,分为四个独立时钟控制部分。该计数器有两个二分频部分和两个五分频部分。这些部分共用一个异步主复位输入(nMR),可用于 BCD 十进制或二 - 五进制配置
    数据手册
    • 1+

      ¥2.62
    • 10+

      ¥2.07
    • 30+

      ¥1.83
    • 100+

      ¥1.53
    • 500+

      ¥1.4
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • 74HC86、74HCT86 是一款四 2 输入异或门。输入包含钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到高于 VCC 的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.68
    • 10+

      ¥2.13
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.6
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • 高压开关二极管,采用平面技术制造,并封装在SOD523 (SC-79)超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装中。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7108
    • 50+

      ¥2.1231
    • 150+

      ¥1.8713
    • 500+

      ¥1.557
    • 3000+

      ¥1.4171
    • 6000+

      ¥1.3332
  • 订货
  • 采用SOD128小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的600 W单向瞬态电压抑制器(TVS),专为瞬态过压保护而设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.8403
    • 50+

      ¥2.4326
    • 150+

      ¥2.2579
    • 500+

      ¥2.0399
    • 3000+

      ¥1.9429
    • 6000+

      ¥1.8846
  • 有货
  • 74AHC541、74AHCT541是一款具有三态输出的8位缓冲器/线路驱动器。该器件具备两个输出使能端(OE1和OE2)
    数据手册
    • 1+

      ¥2.9
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.02
    • 100+

      ¥1.69
    • 500+

      ¥1.55
    • 1000+

      ¥1.46
  • 有货
  • 采用SOT223塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管:PBSS5540Z。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.06
    • 10+

      ¥2.55
    • 30+

      ¥2.33
    • 100+

      ¥2.06
    • 500+

      ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • 互补N/P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无引脚超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.16
    • 30+

      ¥2.83
    • 100+

      ¥2.49
    • 500+

      ¥2.29
    • 1000+

      ¥2.19
  • 有货
  • 标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用恩智浦通用汽车(GPA)TrenchMOS技术。该产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证,适用于汽车关键应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.96
    • 10+

      ¥3.24
    • 30+

      ¥2.87
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.3
  • 有货
  • 74ABT244是一款具有三态输出的8位缓冲器/线路驱动器。该器件可用作两个4位缓冲器或一个8位缓冲器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1
    • 10+

      ¥3.31
    • 30+

      ¥2.92
    • 100+

      ¥2.53
    • 500+

      ¥2.3
    • 1000+

      ¥2.18
  • 有货
  • 单刀双掷模拟开关,具有数字选择输入(S)、两个独立的输入/输出(Y0和Y1)、一个公共输入/输出(Z)和一个数字使能输入(E)。当E为高电平时,开关关闭。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.32
    • 10+

      ¥3.81
    • 30+

      ¥3.59
    • 100+

      ¥3.31
    • 500+

      ¥3.19
    • 1000+

      ¥3.12
  • 有货
  • NXB0108 是一款 8 位双电源转换收发器,具备自动方向感应功能,可实现双向电压电平转换。它有两个 8 位输入输出端口(An 和 Bn)、一个输出使能输入(OE)和两个电源引脚(VCC(A) 和 VCC(B))。VCC(A) 可在 1.2 V 至 3.6 V 之间的任意电压下供电,VCC(B) 可在 1.65 V 至 5.5 V 之间的任意电压下供电,这使得该器件适用于任何低压节点(1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V 和 5.0 V)之间的转换
    • 1+

      ¥4.39
    • 10+

      ¥3.88
    • 30+

      ¥3.62
    • 100+

      ¥3.37
    • 500+

      ¥3.21
    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
  • 高功率密度,采用高效平面技术的超快速恢复整流器,封装在小型扁平引脚 SOD123W 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
    • 10+

      ¥3.61
    • 30+

      ¥3.18
    • 100+

      ¥2.76
    • 500+

      ¥2.51
    • 1000+

      ¥2.38
  • 有货
  • HEF4046B是一款锁相环电路,由一个线性压控振荡器(VCO)和两个不同的相位比较器组成,具备一个公共信号输入放大器和一个公共比较器输入。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.69
    • 10+

      ¥3.74
    • 30+

      ¥3.26
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      ¥2.79
    • 500+

      ¥2.51
    • 1000+

      ¥2.36
  • 订货
  • 该设备旨在保护诸如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.1、高清多媒体接口(HDMI)、DisplayPort、外部串行高级技术附件(eSATA)和低压差分信号(LVDS)接口等高速接口免受静电放电(ESD)的影响。该设备包括一个高级ESD保护二极管结构,用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。该设备封装在一个无引脚的小型DFN2510A-10(SOT1176-1)塑料封装中。所有信号线都由一种特殊二极管配置保护,提供最大仅为0.2 pF的极低线路电容。这些二极管采用箝位结构,以提供对高达±15 kV接触电压的下游组件的保护,超过了IEC 61000-4-2标准的4级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.88
    • 10+

      ¥4.07
    • 30+

      ¥3.66
    • 100+

      ¥3.26
    • 500+

      ¥3.02
    • 1000+

      ¥2.89
  • 有货
  • 一款采用先进的TrenchMOS超结技术、采用175℃ LFPAK56封装的120 A标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过了相关认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.15
    • 10+

      ¥4.37
    • 30+

      ¥3.98
    • 100+

      ¥3.59
    • 500+

      ¥3.35
    • 1500+

      ¥3.23
  • 有货
  • N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.95
    • 10+

      ¥4.98
    • 30+

      ¥4.5
    • 100+

      ¥4.02
    • 500+

      ¥3.73
    • 1000+

      ¥3.58
  • 有货
  • LSF0108是一款适用于开漏和推挽应用的8通道双向多电压电平转换器。在电容负载≤30 pF的情况下,它支持高达100 MHz的向上转换和≥100 MHz的向下转换。无需方向引脚,可最大限度地减少系统设计工作量
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.21
    • 30+

      ¥4.67
    • 100+

      ¥4.13
    • 500+

      ¥3.81
    • 1000+

      ¥3.64
  • 有货
  • 74HC04-Q100、74HCT04-Q100 是一款六反相器。其输入包含钳位二极管,允许使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。该产品已通过汽车电子协会(AEC)Q100 标准(1 级)认证,适用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.81
    • 30+

      ¥5.51
    • 100+

      ¥5.17
    • 500+

      ¥5.01
    • 1000+

      ¥4.95
  • 有货
  • 是一款六非缓冲反相器。输入包括钳位二极管,这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过VDD的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.44
    • 10+

      ¥6.14
    • 30+

      ¥5.5
    • 100+

      ¥4.86
    • 500+

      ¥4.47
    • 1000+

      ¥4.28
  • 有货
  • 采用TrenchMOS技术、LFPAK56(Power SO8)封装的标准电平N沟道MOSFET。本产品已根据AEC Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.82
    • 10+

      ¥8.66
    • 30+

      ¥8.55
    • 100+

      ¥8.43
  • 有货
  • 74HC541、74HCT541 是一款具有三态输出的八进制同相缓冲器/线路驱动器。该器件有两个输出使能端(OE1 和 OE2)。OE9 为高电平时,输出呈高阻关断状态
    数据手册
    • 1+

      ¥9.21
    • 10+

      ¥9.09
    • 30+

      ¥9.02
    • 100+

      ¥8.95
  • 有货
  • PNP中功率晶体管系列,采用表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.62
    • 10+

      ¥7.95
    • 30+

      ¥7.03
    • 100+

      ¥6
    • 500+

      ¥5.54
    • 1000+

      ¥5.33
  • 有货
  • 逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.09
    • 10+

      ¥11.14
    • 30+

      ¥9.91
    • 100+

      ¥8.14
    • 500+

      ¥7.58
    • 1500+

      ¥7.33
  • 有货
  • 425 Amp连续电流,标准电平栅极驱动,采用LFPAK88封装的N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3系列采用独特的“SchottkyPlus”技术,可实现高效和低尖峰性能,通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关,但无高泄漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用,以及高负载电流下的安全可靠开关。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.17
    • 10+

      ¥29.31
    • 30+

      ¥26.34
    • 100+

      ¥23.85
  • 有货
  • PNP电阻型晶体管,R1 = 100 kΩ,R2 = 100 kΩ。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.06507 ¥0.2169
    • 200+

      ¥0.03418 ¥0.1709
    • 600+

      ¥0.01454 ¥0.1454
    • 3000+

      ¥0.013 ¥0.13
    • 9000+

      ¥0.01168 ¥0.1168
    • 21000+

      ¥0.01096 ¥0.1096
  • 有货
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