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首页 > 热门关键词 > 安世滤波器
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HEF4070B 是一款四 2 输入异或门。输入级包含钳位二极管,因此可使用限流电阻将输入连接到高于 VDD 的电压。
数据手册
  • 1+

    ¥3.15
  • 10+

    ¥2.45
  • 30+

    ¥2.14
  • 100+

    ¥1.76
  • 500+

    ¥1.6
  • 1000+

    ¥1.49
  • 有货
  • 低功率电压调节器二极管,采用小型SOD323 (SC-76) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24 ±1%、±2% 和大约 ±5% 的公差范围。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压从2.4 V到75 V。
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.9952 ¥3.12
  • 有货
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.9952 ¥3.12
  • 有货
  • 通用齐纳二极管,采用SOD123F小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.9952 ¥3.12
  • 有货
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.9952 ¥3.12
  • 有货
  • 低功率电压调节器二极管,采用小型SOD323 (SC-76) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24 ±1%、±2% 和大约 ±5% 的公差范围。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压从2.4 V到75 V。
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.9952 ¥3.12
  • 有货
  • 是一个8位串行输入/串行或并行输出的移位寄存器,带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入(DS)和一个串行输出(Q7S),以实现级联功能,还有一个异步复位MR输入。MR上的低电平将复位移位寄存器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.41
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.48
    • 100+

      ¥2.0448 ¥2.13
    • 500+

      ¥1.9008 ¥1.98
    • 1000+

      ¥1.8048 ¥1.88
  • 有货
    • 1+

      ¥3.49
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥3.38
    • 100+

      ¥3.2064 ¥3.34
  • 有货
  • NPS4053是一款5.5 V、55 mΩ的负载开关,其精确可调电流限制范围为110 mA至2.5 A。当输出负载超过电流限制阈值或发生短路时,NPS4053开关通过使用恒流模式将输出电流限制为恒定电流。当输出电压高于输入电压时,内部电压比较器会关断负载开关,以保护开关输入侧的器件
    • 1+

      ¥3.73
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥2.71
    • 100+

      ¥2.37
    • 500+

      ¥2.16
    • 1000+

      ¥2.06
  • 有货
  • 采用SOT23塑料封装的NPN晶体管。互补PNP型:BCW61系列。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.11
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.304 ¥2.4
    • 500+

      ¥2.1408 ¥2.23
    • 1000+

      ¥2.0352 ¥2.12
  • 有货
  • 74HC251、74HCT251是一款8位多路复用器,具有8个二进制输入(I0至I7)、3个选择输入(S0至S2)和一个输出使能输入(OE)。选择输入用于选择8个二进制输入之一,并将其路由至互补输出(Y和Y)。OE为高电平时,输出呈高阻抗关断状态
    数据手册
    • 1+

      ¥3.89
    • 10+

      ¥3.17
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.3808 ¥2.48
    • 500+

      ¥2.2176 ¥2.31
    • 1000+

      ¥1.9872 ¥2.07
  • 有货
  • 是8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器,带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有串行输入 (DS) 和串行输出 (Q7S) 以实现级联,以及异步复位 MR 输入。MR 为低电平时将复位移位寄存器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.35
    • 10+

      ¥3.62
    • 30+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥2.92
    • 500+

      ¥2.75
    • 1000+

      ¥2.64
  • 有货
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥4.76
    • 30+

      ¥4.69
    • 100+

      ¥4.4911 ¥4.63
  • 有货
  • 平面低正向电压(V_F)肖特基势垒整流器,采用CFP15B(SOT1289B)功率扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥4.77
    • 30+

      ¥4.71
    • 100+

      ¥4.464 ¥4.65
  • 有货
  • 是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该设备具有一个串行数据输入 (DS)、八个并行数据输入 (D0至D7) 和一个串行输出 (Q7)。当并行使能输入 (PE) 为低电平时,D0至D7的数据将在时钟输入 (CP) 从低到高转换时加载到移位寄存器中。当PE为高电平时,数据在CP的每次从低到高转换时从DS串行进入寄存器。当时钟使能输入 (CE) 为低电平时,数据在CP的从低到高转换时移位。CE为高电平时禁用CP输入。输入包括钳位二极管,允许使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.63
    • 30+

      ¥4.16
    • 100+

      ¥3.515 ¥3.7
    • 500+

      ¥3.2015 ¥3.37
    • 1000+

      ¥3.0685 ¥3.23
  • 有货
  • 逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,采用 LFPAK33 (Power33) 封装。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥4.63
    • 30+

      ¥4.15
    • 100+

      ¥3.5232 ¥3.67
    • 500+

      ¥3.2448 ¥3.38
    • 1500+

      ¥3.1104 ¥3.24
  • 有货
  • 是一个8位移位和存储寄存器,为8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器,带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入(D)和两个串行输出(QS1和QS2),以便进行级联。数据在CP输入的低到高转换时移位
    • 1+

      ¥5.71
    • 10+

      ¥4.73
    • 30+

      ¥4.23
    • 100+

      ¥3.6 ¥3.75
    • 500+

      ¥3.312 ¥3.45
    • 1000+

      ¥3.168 ¥3.3
  • 有货
    • 1+

      ¥6.15
    • 10+

      ¥5.09
    • 30+

      ¥4.56
    • 100+

      ¥3.8784 ¥4.04
    • 500+

      ¥3.5712 ¥3.72
    • 1500+

      ¥3.4176 ¥3.56
  • 有货
  • 是一款四通道高带宽单刀双掷 FET 总线开关。该器件具有一个选择输入 (S) 和一个输出使能输入 (OE)。当 OE 输入为高电平时,开关禁用。内部电荷泵提高了 NMOS 传输晶体管的栅极电压。这改善了 RON 和 RON(flat) 性能,并能够在 VCC = 3.3V 时切换 5V 信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.2238 ¥7.59
    • 10+

      ¥4.896 ¥6.8
    • 30+

      ¥3.9742 ¥6.41
    • 100+

      ¥3.7324 ¥6.02
    • 500+

      ¥3.5898 ¥5.79
    • 1000+

      ¥3.5154 ¥5.67
  • 有货
  • 74LVC377是一款八进制正边沿触发D型触发器。该器件具有时钟(CP)和数据使能(E)输入。当E为低电平时,输出Qn将呈现其相应D输入的状态,这些D输入需满足时钟(CP)从低到高转换时的建立时间和保持时间要求
    数据手册
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.8
    • 30+

      ¥5.44
    • 100+

      ¥5.04
    • 500+

      ¥4.85
    • 1000+

      ¥4.77
  • 有货
    • 1+

      ¥6.69
    • 10+

      ¥6.56
    • 30+

      ¥6.48
    • 100+

      ¥6.1344 ¥6.39
  • 有货
  • 标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56(Power SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥6.65
    • 30+

      ¥6.56
    • 100+

      ¥6.2112 ¥6.47
  • 有货
  • 是一款六非缓冲反相器。输入包括钳位二极管,这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过VDD的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.5
    • 10+

      ¥6.21
    • 30+

      ¥5.56
    • 100+

      ¥4.7232 ¥4.92
    • 500+

      ¥4.3584 ¥4.54
    • 1000+

      ¥4.1664 ¥4.34
  • 有货
  • 提供16位通用输入/输出(GPIO)扩展,适用于I²C总线/SMBus应用。设计用于1.65V至5.5V的宽电压范围,并带有中断功能。当需要额外的IO且尽量减少互连时,可提供优雅的解决方案,例如在ACPI电源开关、传感器、按钮、LED和风扇控制中。包含一组8位输入、输出、配置和极性反转寄存器
    • 1+

      ¥7.91
    • 10+

      ¥6.63
    • 30+

      ¥5.93
    • 100+

      ¥5.0274 ¥5.13
    • 500+

      ¥4.6844 ¥4.78
    • 1000+

      ¥4.5276 ¥4.62
  • 有货
  • 是4-16线解码器/多路分配器。它将四个二进制加权地址输入(A0到A3)解码为十六个互斥输出(Y0到Y15)。该器件具有两个输入使能(E0和E1)输入。任一输入使能端为高电平会使输出为高电平。该器件可通过使用其中一个使能输入作为多路复用数据输入,用作1-16多路分配器。当另一个使能输入为低电平时,寻址输出将跟随所施加数据的状态。输入包括钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.09
    • 10+

      ¥6.83
    • 30+

      ¥6.21
    • 100+

      ¥5.59
    • 500+

      ¥5.21
    • 1000+

      ¥5.02
  • 有货
  • 双逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双 Power-SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.9
    • 10+

      ¥10.32
    • 30+

      ¥9.32
    • 100+

      ¥7.968 ¥8.3
    • 500+

      ¥7.536 ¥7.85
    • 1500+

      ¥7.344 ¥7.65
  • 有货
    • 1+

      ¥12.15
    • 10+

      ¥11.91
    • 30+

      ¥11.76
  • 有货
  • 汽车级逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK33 封装和 Trench 9 TrenchMOS 技术。该产品已按照 AEC-Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.63
    • 10+

      ¥10.94
    • 30+

      ¥9.89
    • 100+

      ¥8.4576 ¥8.81
    • 500+

      ¥7.9872 ¥8.32
    • 1500+

      ¥7.7856 ¥8.11
  • 有货
  • 采用Trench 9 TrenchMOS技术的LFPAK33封装的汽车级标准N沟道MOSFET。该产品已通过AEC-Q101认证,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.17
    • 10+

      ¥11.41
    • 30+

      ¥10.31
    • 100+

      ¥8.8224 ¥9.19
    • 500+

      ¥8.3328 ¥8.68
    • 1500+

      ¥8.1216 ¥8.46
  • 有货
  • 逻辑电平N沟道MOSFET,采用TrenchMOS技术,采用LFPAK56(Power SO8)封装。该产品已按照AEC G101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.17
    • 10+

      ¥13.14
    • 30+

      ¥11.88
    • 100+

      ¥10.1568 ¥10.58
    • 500+

      ¥9.5904 ¥9.99
    • 1500+

      ¥9.3504 ¥9.74
  • 有货
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