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首页 > 热门关键词 > 安世滤波器
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HEF4027B 是一款双正沿触发 JK 触发器,具有独立的直接置位(nSD)、直接清零(nCD)、时钟输入(nCP)和互补输出(nQ 和 nQ)。当 nCP 为低电平时,数据被接收,并在时钟信号的正沿传输至输出端。异步直接清零(nCD)和直接置位(nSD)相互独立,且优先级高于 nJ、nK 和 nCP 输入
数据手册
  • 5+

    ¥2.4441
  • 50+

    ¥2.0335
  • 150+

    ¥1.8575
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    ¥1.284288 ¥1.3378
  • 2500+

    ¥1.190496 ¥1.2401
  • 5000+

    ¥1.134144 ¥1.1814
  • 有货
  • 74LV244A是一款具有三态输出的8位缓冲器/线路驱动器。该器件有两个输出使能端(1OE和2OE)
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4566
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      ¥1.977
    • 150+

      ¥1.7715
    • 500+

      ¥1.46955 ¥1.515
    • 2500+

      ¥1.358776 ¥1.4008
    • 5000+

      ¥1.292331 ¥1.3323
  • 有货
  • 平面最大效率通用应用 (MEGA) 肖特基势垒整流器,采用共阴极配置,集成保护环以进行应力保护,封装在 SOT23 (TO-236AB) 小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.51
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      ¥2.02
    • 30+

      ¥1.82
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      ¥1.44
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      ¥1.38
  • 有货
  • 是一个 8 级分频器和振荡器。它由 8 个触发器组成。每个触发器将前一个触发器的频率除以 2,因此可计数到 2^8 = 256。单反相级(X1 到 X2)用作晶体振荡器或外部振荡器的输入缓冲器。用作缓冲器时,输出 X2 应悬空。输出(Q)的频率是施加到 X1 的频率除以 256。分频器在 X1 的负向过渡时推进。X1 输入具有过压容限,此特性允许该器件在混合电压环境中用作电压电平转换器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.52
    • 10+

      ¥2.01
    • 30+

      ¥1.79
    • 100+

      ¥1.4896 ¥1.52
    • 500+

      ¥1.3622 ¥1.39
    • 1000+

      ¥1.2936 ¥1.32
  • 有货
  • 74HC366、74HCT366 是一款六反相缓冲器/线路驱动器,其输出为三态,由输出使能输入端(OEn)控制。当 OEn 为高电平时,输出端呈现高阻关断状态
    数据手册
    • 1+

      ¥2.5728 ¥4.02
    • 10+

      ¥1.7658 ¥3.27
    • 30+

      ¥1.2936 ¥2.94
    • 100+

      ¥1.1176 ¥2.54
    • 500+

      ¥1.0384 ¥2.36
    • 1000+

      ¥0.99 ¥2.25
  • 有货
    • 1+

      ¥2.75
    • 10+

      ¥2.7
    • 30+

      ¥2.66
    • 100+

      ¥2.5248 ¥2.63
  • 有货
  • 采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术的NextPowerS3产品组合,可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效率、低尖峰性能,同时又不会出现令人头疼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率下的高效率应用
    • 1+

      ¥2.8
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      ¥2.27
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.68 ¥1.75
    • 500+

      ¥1.5552 ¥1.62
    • 1500+

      ¥1.488 ¥1.55
  • 有货
  • 是双2输入或非门。所有输入处的施密特触发器动作使电路能够承受较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保在整个0.8V至3.6V的VCC范围内实现极低的静态和动态功耗。该器件针对使用1_OFF的部分掉电应用进行了全面规格设计。1_OFF电路可禁用输出,防止器件在掉电时通过器件产生潜在的破坏性回流电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.34
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      ¥2.69
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      ¥2.41
    • 100+

      ¥1.9982 ¥2.06
    • 500+

      ¥1.8527 ¥1.91
    • 1000+

      ¥1.7654 ¥1.82
  • 有货
  • 是一款四2输入多路复用器,该器件具有选择 (S) 和使能 E 输入。S 为高电平时选择数据源 1,为低电平时选择数据源 0。E 为高电平时,所有输出 (1Y 至 4Y) 为低电平。输入可以由 3.3V 或 5V 器件驱动,此特性允许这些器件在混合 3.3V 和 5V 应用中用作转换器。所有输入均具备施密特触发器功能,使得电路能够耐受较慢的输入上升和下降时间。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.62
    • 10+

      ¥2.91
    • 30+

      ¥2.6
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      ¥2.1534 ¥2.22
    • 500+

      ¥1.9885 ¥2.05
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      ¥1.8915 ¥1.95
  • 有货
  • 是一款带有三态输出和公共输出使能输入 (OE) 的四 R/S 锁存器。每个锁存器都有置位 (nS) 和复位 (nR) 输入以及三态输出 (nQ)。当 OE 为低电平时,锁存器输出处于高阻抗关断状态。OE 不影响锁存器的状态。输入包括钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VDD 的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8
    • 10+

      ¥3.72
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      ¥3.67
    • 100+

      ¥3.5114 ¥3.62
  • 有货
  • 采用高性能汽车级(HPA)TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定,适用于汽车关键应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.08
    • 10+

      ¥3.35
    • 30+

      ¥3.04
    • 100+

      ¥2.5344 ¥2.64
    • 500+

      ¥2.1312 ¥2.22
    • 1500+

      ¥2.0352 ¥2.12
  • 有货
  • 74LVT573是一款带有三态输出的8位D型透明锁存器。该器件具有锁存使能(LE)和输出使能(OE)输入
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.51
    • 30+

      ¥3.14
    • 100+

      ¥2.6688 ¥2.78
    • 500+

      ¥2.4672 ¥2.57
    • 1000+

      ¥2.352 ¥2.45
  • 有货
    • 1+

      ¥4.6
    • 10+

      ¥3.68
    • 30+

      ¥3.21
    • 100+

      ¥2.695 ¥2.75
    • 500+

      ¥2.4304 ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.2932 ¥2.34
  • 有货
  • 双逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双 Power-SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.89
    • 10+

      ¥4.05
    • 30+

      ¥3.63
    • 100+

      ¥3.0816 ¥3.21
    • 500+

      ¥2.8416 ¥2.96
    • 1500+

      ¥2.7168 ¥2.83
  • 有货
  • 采用SOT223(SC73)表面贴装器件塑料封装的NPN高压晶体管。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.03
    • 10+

      ¥4.16
    • 30+

      ¥3.73
    • 100+

      ¥3.168 ¥3.3
    • 500+

      ¥2.9184 ¥3.04
    • 1000+

      ¥2.7936 ¥2.91
  • 有货
  • 是一款具有三态输出的8位收发器。该器件具有输出使能 (OE) 和发送/接收 (DIR) 用于方向控制。OE 为高电平时,输出呈现高阻抗关断状态。输入具有过压容限,此特性允许该器件在混合电压环境中用作转换器。该产品已通过汽车电子委员会 (AEC) Q100 (1级) 标准认证,适用于汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.73
    • 10+

      ¥4.66
    • 30+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.5182 ¥3.59
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      ¥3.2046 ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.0478 ¥3.11
  • 有货
    • 1+

      ¥6.74
    • 10+

      ¥5.53
    • 30+

      ¥4.93
    • 100+

      ¥4.2001 ¥4.33
    • 500+

      ¥3.8509 ¥3.97
    • 1000+

      ¥3.6666 ¥3.78
  • 有货
  • MOSFET N-CH 30V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.86
    • 10+

      ¥5.99
    • 30+

      ¥5.56
    • 100+

      ¥5.13
    • 500+

      ¥4.88
    • 1000+

      ¥4.74
  • 有货
  • 74HC7541、74HCT7541是一款8位缓冲器/线路驱动器,具有施密特触发输入和三态输出。该器件有两个输出使能端(OE1和OE2)
    数据手册
    • 1+

      ¥10.54
    • 10+

      ¥8.94
    • 30+

      ¥8.06
    • 100+

      ¥6.7872 ¥7.07
    • 500+

      ¥6.3648 ¥6.63
    • 1000+

      ¥6.1728 ¥6.43
  • 有货
  • 采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.81
    • 10+

      ¥17.17
    • 50+

      ¥15.51
    • 100+

      ¥13.2672 ¥13.82
    • 500+

      ¥12.528 ¥13.05
    • 1000+

      ¥12.2112 ¥12.72
  • 有货
  • 采用SOT404封装的标准电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。该产品经设计和认证,可用于各种工业、通信和家用设备。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.49
    • 10+

      ¥22.74
    • 30+

      ¥20.52
    • 100+

      ¥17.7219 ¥18.27
    • 500+

      ¥16.7131 ¥17.23
    • 800+

      ¥16.2572 ¥16.76
  • 有货
  • PNP 电阻式晶体管(RET)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0947
    • 200+

      ¥0.0929
    • 600+

      ¥0.0917
    • 3000+

      ¥0.08688 ¥0.0905
  • 有货
  • 低功耗电压调节二极管,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压从2.4 V到75 V。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1274 ¥0.2275
    • 200+

      ¥0.08119 ¥0.1765
    • 600+

      ¥0.053352 ¥0.1482
    • 3000+

      ¥0.047232 ¥0.1312
    • 9000+

      ¥0.04194 ¥0.1165
    • 21000+

      ¥0.039096 ¥0.1086
  • 有货
  • 采用超小型SOT323(SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1602
    • 200+

      ¥0.1283
    • 600+

      ¥0.1106
    • 3000+

      ¥0.095904 ¥0.0999
    • 9000+

      ¥0.087072 ¥0.0907
    • 21000+

      ¥0.082272 ¥0.0857
  • 有货
  • NPN 电阻式晶体管 (RET),采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补型号为 PDTA114ET。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1723
    • 200+

      ¥0.1386
    • 600+

      ¥0.1199
    • 2000+

      ¥0.10317 ¥0.1086
    • 10000+

      ¥0.093955 ¥0.0989
    • 20000+

      ¥0.089015 ¥0.0937
  • 有货
  • 低功率电压调节器二极管,采用密封玻璃引脚 SOD27(DO-35)封装。二极管有标准化的 E24 ±2%(BZX79-B)和大约 ±5%(BZX79-C)公差范围。该系列由 37 种类型组成,标称工作电压为 2.4 至 75V。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.173
    • 200+

      ¥0.1386
    • 600+

      ¥0.1194
    • 2000+

      ¥0.103584 ¥0.1079
    • 10000+

      ¥0.09408 ¥0.098
    • 20000+

      ¥0.088896 ¥0.0926
  • 订货
  • 平面肖特基势垒二极管,带有集成保护环用于应力保护,封装在非常小的SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.324
    • 6000+

      ¥0.3186
    • 12000+

      ¥0.3105
    • 24000+

      ¥0.297
    通用齐纳二极管,采用SOD123F小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1884
    • 200+

      ¥0.1509
    • 600+

      ¥0.13
    • 3000+

      ¥0.1128 ¥0.1175
    • 9000+

      ¥0.102432 ¥0.1067
    • 21000+

      ¥0.096768 ¥0.1008
  • 有货
  • 低功耗电压调节二极管,采用小型SOD323 (SC-76)表面贴装器件(SMD)塑料封装。二极管的公差范围为标准化的E24 ±1%、±2%和近似±5%。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压范围为2.4 V至75 V。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2066
    • 200+

      ¥0.1654
    • 600+

      ¥0.1425
    • 3000+

      ¥0.123648 ¥0.1288
    • 9000+

      ¥0.112224 ¥0.1169
    • 21000+

      ¥0.10608 ¥0.1105
  • 有货
  • 通用齐纳二极管,采用SOD123F小型扁平引脚表面贴装设备(SMD)塑料封装。总功耗:≤830 mW。三种精度系列:±1%,±2%和约±5%。宽工作电压范围:标称2.4 V至75 V(E24系列)。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.22372 ¥0.2632
    • 100+

      ¥0.15555 ¥0.2074
    • 300+

      ¥0.11674 ¥0.1796
    • 3000+

      ¥0.103155 ¥0.1587
    • 6000+

      ¥0.0923 ¥0.142
    • 9000+

      ¥0.08684 ¥0.1336
  • 有货
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