安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

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恒流调节器与LED驱动器

型号：NSI50010YT1G 编号：C150049

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

线性恒流调节器（CCR）是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节LED中的电流提供经济高效的解决方案（类似于恒流二极管，CCD）。CCR基于自偏置晶体管（SBT）技术，可在较宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护LED在极端电压和电流下免受热失控的影响。CCR立即开启，仅需0.5V的阳极-阴极电压（Vak）即可达到40%的调节率。它无需外部组件，可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage应用中常见的浪涌。CCR采用热稳定性强的封装，符合AEC-Q101标准，并通过UL94-V0认证。

数据手册

5+
￥0.9239
50+
￥0.7223
150+
￥0.6359
500+
￥0.5281
3000+
￥0.4642
6000+
￥0.4354

有货

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NPN 电流:500mA 电压:80V

型号：MMBTA06LT1G 编号：C77760

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1989
200+
￥0.1564
600+
￥0.1328
3000+
￥0.1082
9000+
￥0.0959
21000+
￥0.0893

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:0.22A

型号：BSS138 编号：C52895

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。

数据手册

20+
￥0.3022
200+
￥0.2482
600+
￥0.2182
3000+
￥0.1311
9000+
￥0.1155
21000+
￥0.107

有货

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1kV 1A

型号：1N4007RLG 编号：C53568

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

该款标准整流器适合通用及低功率应用。

数据手册

10+
￥0.3276
100+
￥0.2614
300+
￥0.2283
1000+
￥0.2035
5000+
￥0.1562
10000+
￥0.1463

有货

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1kV 1A

型号：MRA4007T3G 编号：C47921

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.4749
50+
￥0.432
150+
￥0.4105
500+
￥0.3943
2500+
￥0.2343
5000+
￥0.2279

有货

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独立式耐压:6.8V 电流:10uA@5.2V

型号：1N5342BRLG 编号：C44808

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥1.7709
50+
￥1.4183
150+
￥1.2672
500+
￥1.0787
2500+
￥0.9948
4000+
￥0.9444

有货

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7.6V~30V

型号：UC2845BD1R2G 编号：C33458

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器以及大电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且都具有迟滞、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

数据手册

5+
￥1.8612
50+
￥1.4559
150+
￥1.2823
500+
￥1.0148
2500+
￥0.9183
5000+
￥0.8604

有货

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128 kb I2C CMOS串行EEPROM

型号：CAT24C128WI-GT3 编号：C81195

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

数据手册

1+
￥2.5
10+
￥1.94
30+
￥1.7
100+
￥1.4
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

有货

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256 Kb串行SPI EEPROM

型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

1+
￥3.11
10+
￥2.44
30+
￥2.16
100+
￥1.8
500+
￥1.51
1000+
￥1.41

有货

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256 Kb串行EEPROM，I2C接口

型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥4.03
10+
￥3.21
30+
￥2.8
100+
￥2.39
500+
￥2.15
1000+
￥2.02

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA

型号：MM3Z3V3T1G 编号：C75073

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2084
200+
￥0.1703
600+
￥0.1491
3000+
￥0.1365
9000+
￥0.1254
21000+
￥0.1195

有货

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电压:40V 电流:120mA

型号：BAS40-04LT1G 编号：C78265

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.243
200+
￥0.1928
600+
￥0.1648
3000+
￥0.1369
9000+
￥0.1223
21000+
￥0.1145

有货

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单向TVS 22V截止峰值浪涌电流：1A

型号：MMBZ27VALT1G 编号：C41376

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.2499
100+
￥0.1971
300+
￥0.1707
3000+
￥0.1509
6000+
￥0.1351
9000+
￥0.1271

有货

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双缓冲器，带施密特触发输入，超高速，高输出驱动，宽Vcc工作范围

型号：NC7WZ17P6X 编号：C81546

封装：SOT-363-6

品牌：onsemi(安森美)

带施密特触发器输入的 TinyLogic UHS 双通道缓冲器

数据手册

10+
￥0.3616
100+
￥0.2912
300+
￥0.256
3000+
￥0.2296
6000+
￥0.2085
9000+
￥0.198

有货

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100V 200mA

型号：MMBD4148SE 编号：C73223

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

10+
￥0.4087
100+
￥0.3268
300+
￥0.2859
3000+
￥0.2195
6000+
￥0.195
9000+
￥0.1827

有货

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1kV 1A

型号：S1M 编号：C232826

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

S1A -S1M General-Purpose Rectifiers 是 1 A、P -I -N、SMA 整流器，具有优化的低泄漏、低电容和快速响应时间。在 1 A 时保持行业标准 VF 最大值 1.1 V 和 30 A 浪涌额定值。在系统电源效率至关重要的当今，这些优势可用于支持更高效率目标。

数据手册

5+
￥0.547
50+
￥0.4342
150+
￥0.3778
500+
￥0.3355
2500+
￥0.2766
7500+
￥0.2597

有货

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恒流调节器和LED驱动器

型号：NSI45030AT1G 编号：C150066

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

线性恒流调节器 (CCR) 是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节 LED 中的电流提供经济高效的解决方案。CCR 基于自偏置晶体管 (SBT) 技术，可在很宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护 LED 在极端电压和电流下免受热失控的影响。CCR 立即开启，仅需 0.5V Vak 即可达到调节值的 25%。它无需外部组件，可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage 应用中常见的浪涌。CCR 采用热性能良好的封装，符合 AEC-Q101 标准，并获得 UL94-V0 认证。

数据手册

5+
￥0.6104
50+
￥0.4808
150+
￥0.416
500+
￥0.3674
3000+
￥0.3057
6000+
￥0.2863

有货

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耐压:1000V 电流:1A 反向恢复时间：500ns

型号：RS1M 编号：C84573

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结，适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴片。 UL认证：证书编号E326243。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.7486
50+
￥0.5912
150+
￥0.5125
500+
￥0.4535
2500+
￥0.3746
7500+
￥0.351

有货

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单电源四路比较器

型号：LM339DR2G 编号：C63821

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。

数据手册

5+
￥1.1803
50+
￥0.8987
150+
￥0.778
500+
￥0.6273
2500+
￥0.5603
5000+
￥0.52

有货

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六路施密特触发反相器

型号：MC74HC14ADR2G 编号：C152545

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC14A的引脚排列与LS14、LS04和HC04相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，可与LSTTL输出兼容。HC14A可有效改善缓慢的输入信号上升和下降时间，使波形更接近方波

数据手册

5+
￥1.2735
50+
￥0.9885
150+
￥0.8663
500+
￥0.7139
2500+
￥0.646
5000+
￥0.6053

有货

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电压:40V 电流:5A

型号：MBRS540T3G 编号：C31849

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.5477
50+
￥1.2352
150+
￥1.049
500+
￥0.8819
2500+
￥0.8074
5000+
￥0.7628

有货

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CAT24C08WI-GT3

型号：CAT24C08WI-GT3 编号：C80801

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.7065
50+
￥1.3436
150+
￥1.1881
500+
￥0.9167
3000+
￥0.8303
6000+
￥0.7785

有货

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7.6V~30V 1A

型号：UC3845BD1R2G 编号：C98715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且均具有迟滞、按周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

数据手册

5+
￥1.8489
50+
￥1.4356
150+
￥1.2585
500+
￥1.0332
2500+
￥0.9348
5000+
￥0.8758

有货

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32 Kb I2C接口CMOS串行EEPROM

型号：CAT24C32WI-GT3 编号：C81193

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥1.9867
50+
￥1.5828
150+
￥1.4098
500+
￥1.1795
3000+
￥1.0833
6000+
￥1.0256

有货

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PNP 电流:8A 电压:80V

型号：MJD45H11T4G 编号：C47515

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥2.55
10+
￥2
30+
￥1.76
100+
￥1.47
500+
￥1.24
1000+
￥1.16

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:235A

型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥5.01
10+
￥3.99
30+
￥3.48
100+
￥2.97
500+
￥2.67
1500+
￥2.51

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N137SDM 编号：C15825

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

数据手册

1+
￥5.08
10+
￥4.4
30+
￥3.92
100+
￥3.52
500+
￥2.58
1000+
￥2.5

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册

1+
￥6.1
10+
￥4.96
30+
￥4.39
100+
￥3.83
500+
￥3.49
1000+
￥3.32

有货

立即购买

600V 120A

型号：FGH60N60SMD 编号：C50649

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥19.47
10+
￥16.5
30+
￥14.73
90+
￥12.95
450+
￥12.12
900+
￥11.75

有货

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100V 200mA

型号：MMBD914LT1G 编号：C46523

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此器件采用 SOT-23 表面贴装封装，适用于自动化插入。

数据手册

50+
￥0.1248
500+
￥0.1004
3000+
￥0.0792
6000+
￥0.0711
24000+
￥0.064
51000+
￥0.0602

有货

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