独石电容104_厂家_价格_品牌_库存

径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质列为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件具有低泄漏电流,在高频下表现出低ESR,通常用作开关电源和照明镇流器等应用中的缓冲器或滤波器。由于其在高频下的出色性能,它们成为全球设计工程师的首选。

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型号：CT4-0805-2F4-63V-0.1uF-S-L 编号：C123145

封装：插件,P=2.54mm

品牌：TORCH(火炬)

应用：CG介质:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R介质:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4介质:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

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型号：CT4-0805Y104M500F3 编号：C94717

封装：插件,P=5.08mm

品牌：FH(风华)

特性：体积小,容量大,适合自动安装的卷(编)带包装。环氧树脂封装,从而具有优良的防潮性能、机械强度及耐热性。工业生产标准尺寸及多种脚型产品。应用：一般用途品

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型号：K104K15X7RF5TL2 编号：C2167206

封装：插件,P=2.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：小尺寸大容量。高可靠性。压接和直插引脚样式。R9HS合规。由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢线制成。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：K104K20X7RH5TL2 编号：C2167389

封装：插件,P=2.5mm

品牌：VISHAY(威世)

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型号：K104K10X7RF53L2 编号：C1620242

封装：插件,P=2.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：K104K20X7RH53L2 编号：C1621558

封装：插件,P=2.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：C320C104K5R5TA7301 编号：C2167257

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品牌：KEMET(基美)

径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。

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型号：RDER71H104K0P1H03B 编号：C882438

封装：插件,P=2.5mm

品牌：muRata(村田)

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型号：C322C104K5R5TA 编号：C600236

封装：插件,P=5.08mm

品牌：KEMET(基美)

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型号：FA18X7R1H104KNU06 编号：C575458

封装：插件,P=2.5mm

品牌：TDK

特性：电压额定值为25V至630V,电容范围为1pF至22pF。根据AEC Q200认证合格。应用：汽车用各种电机的降噪措施。无钥匙进入系统等领域的谐振电路

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型号：C322C104K5R5TA7301 编号：C600235

封装：插件,P=5.08mm

品牌：KEMET(基美)

X7R 电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。X7R 电介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 II 类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对 Q 值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R 电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C 至 +125°C 范围内,电容变化限制在 ±15%。这些器件符合 UL 标准 94V 0 规定的阻燃测试要求。

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