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  • C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。
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  • 多层陶瓷电容器有多种物理尺寸和配置,包括引脚式器件和表面贴装芯片。引脚式包括带有轴向和径向引线的模制和保形涂层部件。基本电容元件在所有样式中相似,称为芯片,由配制的介电材料组成,这些材料被浇铸成薄层,与金属电极交替排列,在层压结构的相对边缘交替暴露。整个结构在高温下烧制,以在小体积内提供高电容值。烧制后,导电端接应用于芯片的两端,以与暴露的电极接触。端接材料和方法根据预期用途而异。
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  • X7R电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
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  • C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。
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  • Goldmax 符合 Z5U 电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 85°C,被认为是“通用型”。电子工业联盟 (EIA) 将 Z5U 电介质归类为 III 类材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦或其他对介电损耗、高绝缘电阻和电容稳定性要求不高的应用。Z5U 电容随时间和电压的变化可预测,且随环境温度变化较大。在 +10°C 至 +85°C 范围内,电容变化限制在 +22% 56%。
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  • 径向引线陶瓷电容器采用X7R电介质,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质列为II类“温度稳定”材料。此类元件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R电容随时间和电压的变化具有可预测性,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
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  • 轴向引脚多层陶瓷电容器采用C0G电介质,最大工作温度为125°C。C0G电介质被电子工业联盟(EIA)归类为I类“稳定”材料,这类元件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要Q值和电容特性稳定性的应用。C0G电容在时间和电压方面无变化,在-55°C至+125°C的环境温度下,电容变化可忽略不计,电容变化限制在±30ppm/°C。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
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  • 多层陶瓷电容器有各种物理尺寸和配置,包括有引线器件和表面贴装芯片。有引线样式包括带轴向和径向引线的模制和保形涂层部件。基本电容元件在所有样式中都相似,称为芯片,由制成薄层的配方介电材料组成,金属电极交替暴露在层压结构的相对边缘。整个结构在高温下烧制,以在小体积内提供高电容值。烧制后,导电端接应用于芯片的两端,以与暴露的电极接触,端接材料和方法因预期用途而异。
    • 1+

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  • 应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
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      ¥0.1673
  • 订货
  • 应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
    数据手册
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  • 应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合
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      ¥0.2933
    • 5000+

      ¥0.276
  • 订货
  • 应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
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    • 1000+

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  • 应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合
    数据手册
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    • 5000+

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  • 订货
  • 应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合
    数据手册
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