独石电容_厂家_价格_品牌_库存

应用：CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

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型号：CC4-0805-CG-50V-39pF-J 编号：C123161

封装：插件,P=5.08mm

应用：1类:谐振回路、高频耦合、高频放大器、低噪声电路、高频旁路以及要求低损耗、电容量高稳定和绝缘电阻高的电路。2类:电源滤波、旁路、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路

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型号：CC4-0805-CG-100V-24pF-J 编号：C454428

封装：插件,P=5.08mm

应用：CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

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型号：A473K15X7RF5TAA 编号：C2169573

封装：插件,D2.5xL3.8mm

特性：高电容小尺寸。高可靠性。轴向安装方式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：CT4-1206-2F4-63V-0.47uF-M 编号：C400080

封装：插件,P=5.08mm

应用：CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

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型号：K100J15C0GH5TL2 编号：C2169821

封装：插件,P=2.5mm

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型号：A103K15X7RF5TAA 编号：C3000875

封装：插件,D2.5xL3.8mm

特性：高电容,小尺寸。高可靠性。轴向安装方式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：A102J15C0GF5TAA 编号：C2177287

封装：插件,D2.5xL3.8mm

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型号：K102K15X7RF5TH5 编号：C2169644

封装：插件,P=5mm

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：K473K15X7RF5TL2 编号：C2169639

封装：插件,P=2.5mm

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：C315C330J2G5TA 编号：C1620398

封装：插件

C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。

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型号：C315C103K5R5TA 编号：C3697438

封装：-

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型号：C315C101J2G5TA 编号：C1620395

封装：插件

C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。

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型号：C315C102K1R5TA 编号：C1620429

封装：插件

X7R电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。

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型号：K472K15X7RH53L2 编号：C1621381

封装：插件,P=2.5mm

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：C322C470J2G5TA 编号：C1620422

封装：插件

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型号：RDE5C2A220J0S1H03A 编号：C415398

封装：插件,P=2.5mm

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型号：RHEL81H104K0A2H03B 编号：C1633652

封装：插件,P=2.5mm

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型号：RDE5C1H101J0K1H03B 编号：C3689308

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型号：RDE5C1H273J2M1H03A 编号：C17183754

封装：插件,D5.5xL3.2mm

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型号：RDER71H105K2P1H03B 编号：C1620326

封装：插件,P=2.5mm

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型号：RDER72A474K1M1H03A 编号：C1622348

封装：插件,P=5mm

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型号：RDEC71E105K0K1H03B 编号：C913496

封装：插件,P=5mm

特性：小尺寸、高容值。低ESR/ESL型,适用于高频电路。符合AEC Q200, ISO7637 2(冲击试验)要求。满足LF(无铅)和HF(无卤)的要求。可采用波峰焊接和焊接 (不可采用回流焊接)。如果在焊接过程中必须使用铜线,则根据要求采用铜线

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￥2.79
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￥2.18
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型号：C320C473K1R5TA 编号：C1622396

封装：插件