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  • 轴向引脚多层陶瓷电容器采用C0G电介质,最大工作温度为125°C。C0G电介质被电子工业联盟(EIA)归类为I类“稳定”材料,这类元件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要Q值和电容特性稳定性的应用。C0G电容在时间和电压方面无变化,在-55°C至+125°C的环境温度下,电容变化可忽略不计,电容变化限制在±30ppm/°C。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
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  • 径向引线陶瓷电容器采用C0G电介质,最大工作温度为125°C。C0G电介质被电子工业联盟(EIA)归类为I类“稳定”材料,具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要Q值和电容特性稳定性的应用。C0G电容在时间和电压方面无变化,在-55°C至+125°C的环境温度下电容变化可忽略不计,电容变化限制在±30ppm/°C。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
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  • 径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质列为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件具有低泄漏电流,在高频下表现出低ESR,通常用作开关电源和照明镇流器等应用中的缓冲器或滤波器。由于其在高频下的出色性能,它们成为全球设计工程师的首选。
    数据手册
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  • 特性:高电容,小尺寸。高可靠性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦
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  • 特性:小尺寸大容量。高可靠性。压接和直插引脚样式。R9HS合规。由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢线制成。应用:温度补偿。耦合和去耦
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  • 特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦
    数据手册
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  • 特性:高电容:通过改进陶瓷介电层的薄化工艺和多层叠层技术实现。高可靠性:在规定的环境条件下保持。低剩余电感和出色的频率特性。独特结构:采用TDK为高压应用设计的独特结构,尽管尺寸小但实现了高耐压。额定电压Edc:100V、200V和630V。引线设计:引线形成“扭结”以实现一致的插入高度,并便于在焊接过程中释放气体,显著提高可焊性。编带规格:提供编带规格以实现自动插入,有助于降低板载成本。符合RoHS指令:符合欧盟指令2011/65/EC,除豁免应用外,未使用铅、镉、汞、六价铬以及特定的溴基阻燃剂PBB和PBDE
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  • 订货
  • 特性:额定电压为10V至630V,电容范围为1pF至47μF。应用:各种电机的降噪措施。开关电源等的旁路电容和平滑电容
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  • 特性:额定电压为10V至630V,电容范围为1pF至47μF。应用:各种电机的降噪措施。开关电源等的旁路电容和平滑电容
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