TDK瓷片电容_厂家_价格_品牌_库存

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：T10B1D102KQ0T0S0N0 编号：C366857

封装：插件,P=10mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：W11F1D332MN0B0S0N0 编号：C260741

封装：插件,P=10mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：R11F1E103MQ0T0S0P0 编号：C2914779

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11B8B222KN0B0S0N0 编号：C2914772

封装：插件,P=5mm

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型号：A09F3D222MA5B0S0N0 编号：C2914484

封装：插件,P=10mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S102K29Y5PN6TJ5R 编号：C2174379

封装：插件,P=5mm

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：S14F3E103MA5B0S0N0 编号：C2914873

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R15F3E223MA5B0S0N0 编号：C2914810

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R15B4E472KN0B0S0N0 编号：C2914795

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S203M75Z5UN63J0R 编号：C1620844

封装：插件

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：562R5HKS10 编号：C1640747

封装：插件,P=9.5mm

电容器由陶瓷圆盘制成,圆盘两侧镀银。连接引线由镀锡铜或镀锡铜包钢制成,直径为 0.020" (0.51 mm) 或 0.025" (0.64 mm)。电容器可以提供径向弯折或直引线,引线间距为 0.250" (6.35 mm) 或 0.375" (9.5 mm)。标准公差为 ±20%。涂层由树脂涂层或符合 “UL 94 V 0” 的阻燃环氧树脂制成。电容范围为 10 pF 至 0.1 μF,额定电压为 1000 VDC。引线之间的介电强度:元件测试为 2500 VDC,持续 2 s。陶瓷介质为 C0G、U2J(1 类)、X5F、X7R、Y5U、Z5U(2 类)。

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型号：561R1DF0D22 编号：C1641569

封装：插件,P=6.4mm

特性：低损耗。高稳定性。低损耗因数(DF),可最大程度减少高频下的自发热。适用于高达100kHz的高开关频率。径向引线。应用：开关电源(SMPS)。高频镇流器

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型号：561R10TCCT22 编号：C6694641

封装：插件

特性：超稳定,不受温度和电压影响。用于要求极高稳定性的场合。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用：温度补偿。谐振电路

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型号：HVCC103Y6P202MEAX 编号：C1623634

封装：插件,P=12.5mm

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型号：615R150GAD10 编号：C1648267

封装：插件,P=19.1mm

特性：20 kV额定电压可按需提供。低损耗。小尺寸下具有高电容。高稳定性。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用：TV和显示器。开关电源

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型号：L06B1B221KN0B0S0N0 编号：C249138

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：CC1H500KA1FDSL4B10MF 编号：C254105

封装：插件,P=2.54mm

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型号：2H102MC1G-B4-E-ZNR 编号：C3148286

封装：插件,P=5.08mm

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型号：CC1H151KC74DB44B10MN 编号：C254095

封装：插件,P=5.08mm

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￥0.04221 ￥0.0469

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型号：L06B1B331KN0B0S0N0 编号：C249139

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：3A222ZC1G-F4-ZNR 编号：C3148296

封装：插件,P=5.08mm

高压旁路和藕合电路

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￥0.04655 ￥0.049

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型号：L06S1B470KN0B0S0N0 编号：C260723

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：CC2H102MC24EF45F50M2 编号：C377843

封装：插件,P=5.08mm