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半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。

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50+
￥0.06732 ￥0.0748
500+
￥0.05274 ￥0.0586
2000+
￥0.04122 ￥0.0458
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￥0.03636 ￥0.0404
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型号：CC1H470JC1EDCH4B1100 编号：C2832517

封装：插件,P=5.08mm

瓷片电容器适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,例如在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无菌。

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50+
￥0.074005 ￥0.0779
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￥0.058615 ￥0.0617
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￥0.04142 ￥0.0436
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￥0.03705 ￥0.039
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￥0.03458 ￥0.0364

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型号：CC1H470JC74DCH4B10MN 编号：C254104

封装：插件,P=5.08mm

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￥0.091865 ￥0.0967
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型号：CC1H104ZC74D3F5O30MN 编号：C254094

封装：插件,P=5.08mm

半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。

数据手册

50+
￥0.10773 ￥0.1134
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￥0.08512 ￥0.0896
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型号：CC3A471KC1GEB45H31MF 编号：C19712508

封装：插件,P=5.08mm

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

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￥0.11248 ￥0.1184
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￥0.087305 ￥0.0919
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型号：CC3A102KC1GEB45F31MF 编号：C19712503

封装：插件,P=5.08mm

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

50+
￥0.115995 ￥0.1221
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￥0.090345 ￥0.0951
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型号：L06B1B102KQ0T0S0N0 编号：C366790

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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50+
￥0.1173
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￥0.0568

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型号：DCM101K20Y5PL6FJ5A0 编号：C2896079

封装：插件,P=5mm

1类温度补偿型瓷介电容器的电容量随温度改变呈线性变化,适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中

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20+
￥0.165965 ￥0.1747
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￥0.13129 ￥0.1382
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￥0.112005 ￥0.1179
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￥0.08474 ￥0.0892
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￥0.074765 ￥0.0787
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￥0.06935 ￥0.073

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型号：DCT101K20Y5PF6FJ5A0 编号：C2896026

封装：插件,P=5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：旁路电路。耦合电路

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20+
￥0.16948 ￥0.1784
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￥0.135565 ￥0.1427
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￥0.09006 ￥0.0948
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￥0.074955 ￥0.0789

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型号：DCT102K20Y5PF6FJ5A0 编号：C2896029

封装：插件,P=5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：旁路电路。耦合电路

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20+
￥0.17043 ￥0.1794
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￥0.136515 ￥0.1437
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型号：CC1H473ZC1FD3F4D1100 编号：C37323964

封装：插件,P=5.08mm

适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备;温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,作温度补偿之用;高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路;可适用于自动化生产线;符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

20+
￥0.1711
200+
￥0.1333
1000+
￥0.1123

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型号：DCH151K22Y5PN6FJ5A0 编号：C2896307

封装：插件,P=5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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20+
￥0.19 ￥0.2
200+
￥0.15029 ￥0.1582
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￥0.12825 ￥0.135
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￥0.099655 ￥0.1049
10500+
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19500+
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型号：DCM102K22X7RL6FJ5B8 编号：C2896080

封装：插件,P=5mm

1类温度补偿型瓷介电容器的电容量随温度改变呈线性变化,适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中

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20+
￥0.195795 ￥0.2061
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￥0.15485 ￥0.163
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￥0.08816 ￥0.0928
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￥0.081795 ￥0.0861

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型号：R06S3B470KA5B0S0N0 编号：C2914725

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2077
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￥0.1618
1000+
￥0.1363
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￥0.121
10000+
￥0.1077
20000+
￥0.1006

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型号：DCH220K22YR N6FJ5C8 编号：C2896330

封装：插件,P=5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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20+
￥0.222015 ￥0.2337
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￥0.177555 ￥0.1869
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￥0.11799 ￥0.1242
10500+
￥0.105165 ￥0.1107
19500+
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型号：R06B1B101KN0B0S0N0 编号：C249162

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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20+
￥0.2238
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￥0.1752
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￥0.1443
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￥0.1141
20000+
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型号：R06B3B471KA5B0S0N0 编号：C2914709

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2254
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￥0.1077
20000+
￥0.1006

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型号：R06S1B560KN0B0S0N0 编号：C260732

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

数据手册

20+
￥0.2321
200+
￥0.1808
1000+
￥0.1523
2000+
￥0.1352
10000+
￥0.1204
20000+
￥0.1124

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型号：R08E1E222MN0B0S0N0 编号：C2914748

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

数据手册

20+
￥0.2419
200+
￥0.1884
1000+
￥0.1587
2000+
￥0.1409
10000+
￥0.1255
20000+
￥0.1172

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型号：CC3D222KD1BEB49D6100 编号：C48587135

封装：插件,P=7.5mm

高压旁路和藕合电路

10+
￥0.2503
100+
￥0.2451
300+
￥0.2416

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型号：R06F1B222MQ0T0S0N0 编号：C366825

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

数据手册

20+
￥0.2541
200+
￥0.2006
600+
￥0.1709
1500+
￥0.1409
10500+
￥0.1255
19500+
￥0.1172

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型号：DCH103M36Y5VN6WL7A0 编号：C2896266

封装：插件,P=7.5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

数据手册

10+
￥0.2546 ￥0.268
100+
￥0.202065 ￥0.2127
300+
￥0.175845 ￥0.1851
1000+
￥0.14953 ￥0.1574
5000+
￥0.13376 ￥0.1408
10000+
￥0.125875 ￥0.1325

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型号：R06E1E102MQ0T0S0N0 编号：C2914717

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

数据手册

10+
￥0.2561
100+
￥0.2062
300+
￥0.1813
1000+
￥0.1447
5000+
￥0.1297
10000+
￥0.1222

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型号：DCH680K30SL PBFJ5A0 编号：C2896580

封装：插件,P=5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

数据手册

10+
￥0.261915 ￥0.2757
100+
￥0.21033 ￥0.2214
300+
￥0.18449 ￥0.1942
1500+
￥0.146775 ￥0.1545
4500+
￥0.13129 ￥0.1382
10500+
￥0.123595 ￥0.1301

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型号：R06S1B470KQ0T0S0N0 编号：C366803

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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10+
￥0.2649
100+
￥0.2145
300+
￥0.1893
2000+
￥0.1469
4000+
￥0.1318
10000+
￥0.1243

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型号：S08S1E560KN0B0S0N0 编号：C260737

封装：插件,P=7.5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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10+
￥0.2704
100+
￥0.2138
300+
￥0.1854
1000+
￥0.1642
5000+
￥0.1472
10000+
￥0.1387

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型号：S07S1E470KN0B0S0N0 编号：C260736

封装：插件,P=7.5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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10+
￥0.2721
100+
￥0.2151
300+
￥0.1866
1000+
￥0.1652
5000+
￥0.1481
10000+
￥0.1396

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型号：S07S3E300JA5B0S0N0 编号：C2914852

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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10+
￥0.2754
100+
￥0.2207
300+
￥0.1933
1000+
￥0.1728
5000+
￥0.1564
10000+
￥0.1482

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型号：S07S1B300KN0B0S0N0 编号：C2914830

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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10+
￥0.2754
100+
￥0.2207
300+
￥0.1933
1000+
￥0.1728
5000+
￥0.1564
10000+
￥0.1482

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型号：S07B1B471KN0B0S0N0 编号：C2914816

封装：插件,P=5mm