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首页 > 热门关键词 > TDK瓷片电容
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  • 半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。
    数据手册
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      ¥0.11552 ¥0.1216
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      ¥0.05244 ¥0.0552
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      ¥0.116755 ¥0.1229
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  • 适用于电子设备中使用的具有确定温度系数(I类介质),具有高介电常数(II类介质)和具有半导体性质(III类介质)的瓷介固定电容器。I类瓷介固定电容器专门设计并用在低损耗,电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中,例如在电路中作温度补偿之用。II类瓷介固定电容器适用于旁路耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中,具有高介电常数。III类瓷介固定电容器适用于作旁路和耦合之用的电路中,具有半导体特征。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.33744 ¥0.3552
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    • 1000+

      ¥0.21432 ¥0.2256
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      ¥0.19456 ¥0.2048
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      ¥0.18468 ¥0.1944
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  • 特性:陶瓷单层直流盘/交流盘电容器。高可靠性。高电容值,可达 2 nF。小尺寸。低损耗。径向引线。应用:用于 X 射线源和脉冲激光器的高压电源。行李扫描仪
    数据手册
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  • 有货
  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
    数据手册
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      ¥0.1092
  • 有货
  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
    数据手册
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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