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首页 > 热门关键词 > STE瓷片电容
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适用于额定电压不超过直流 8kV 或最大标称电容量为 0.22uF 的电子设备。温度补偿型(1 类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数确定,如 NP0、N750、SL 等。高介电常数型(2 类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如 Y5P、Y5U、Y5V 等。可适用于自动化生产线,符合 RoHS 2.0、REACH 标准,无卤。
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  • 特性:符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用:用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件
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  • 圆片陶介电容器是一种芯片介质主要为钛酸钡,并用烧渗法将金属镀在陶瓷上作为电极制成,有环氧树脂包封和酚醛树脂包封两种,按其介质特性可分为I类温度补偿型、II类高介电常数型;III类半导体型。
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  • 特性:损耗低、容量稳定性高,电容量变化与温度呈线性关系。多种温度系数,适用于谐振回路及温度补偿效应的电路。使用温度范围:-25°C ~ +85°C。测试电压:2.5UR。绝缘电阻:Ri ≥ 10000MΩ。损耗角正切值:5PF < C < 30PF,tgδ ≤ 1 / 4
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  • 特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护
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  • 特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护
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  • 特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护
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  • 特性:在高频,高电压时的介电质损失很小,自我发热小。以前的3kV额定品之外又加上6kV的高电压用途对应品。由于导线及内部焊锡的无铅化,符合RoHS指令。采用无卤的外包封装树脂。应用:开关电源的缓冲电路保护
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  • 特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护
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  • 特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器
    数据手册
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    特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器
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