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首页 > 热门关键词 > murata瓷片电容
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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  • 特性:超温度和电压稳定性好。用于需要极致稳定性的场合。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:温度补偿。谐振电路
    数据手册
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      ¥10.24
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  • C/C 221K/1KV/P=5/L=3.8 6040 Y5P
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      ¥0.0626
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      ¥0.0613
    • 2000+

      ¥0.0604
  • 有货
  • 陶瓷电容器使用陶瓷作为介质,铜线或镀锡钢线作为导线,(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封;圆片型,导线单向引出。陶瓷电容器是以被银瓷片作为芯片,镀锡铜包钢线(CP线)为引线、(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封。CC包含温度补偿型电容器、高介电常数型电容器与半导体型电容器三种。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06422 ¥0.0676
    • 500+

      ¥0.050825 ¥0.0535
    • 2000+

      ¥0.040375 ¥0.0425
    • 4000+

      ¥0.03591 ¥0.0378
    • 24000+

      ¥0.03211 ¥0.0338
    • 50000+

      ¥0.03002 ¥0.0316
  • 有货
  • 适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
    • 50+

      ¥0.06597 ¥0.0733
    • 500+

      ¥0.05139 ¥0.0571
    • 2000+

      ¥0.04329 ¥0.0481
    • 5000+

      ¥0.03843 ¥0.0427
    • 25000+

      ¥0.03429 ¥0.0381
    • 50000+

      ¥0.03195 ¥0.0355
  • 有货
  • 半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06732 ¥0.0748
    • 500+

      ¥0.05274 ¥0.0586
    • 2000+

      ¥0.04122 ¥0.0458
    • 5000+

      ¥0.03636 ¥0.0404
    • 25000+

      ¥0.03213 ¥0.0357
    • 50000+

      ¥0.02988 ¥0.0332
  • 有货
  • 瓷片电容器适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,例如在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无菌。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.074005 ¥0.0779
    • 500+

      ¥0.058615 ¥0.0617
    • 2000+

      ¥0.04655 ¥0.049
    • 5000+

      ¥0.04142 ¥0.0436
    • 25000+

      ¥0.03705 ¥0.039
    • 50000+

      ¥0.03458 ¥0.0364
  • 有货
    • 50+

      ¥0.091865 ¥0.0967
    • 500+

      ¥0.07239 ¥0.0762
    • 2000+

      ¥0.057095 ¥0.0601
    • 5000+

      ¥0.050635 ¥0.0533
    • 25000+

      ¥0.044935 ¥0.0473
    • 50000+

      ¥0.041895 ¥0.0441
  • 订货
  • 半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.10773 ¥0.1134
    • 500+

      ¥0.08512 ¥0.0896
    • 2000+

      ¥0.06745 ¥0.071
    • 5000+

      ¥0.059945 ¥0.0631
    • 25000+

      ¥0.05339 ¥0.0562
    • 50000+

      ¥0.049875 ¥0.0525
  • 订货
  • 适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
    • 50+

      ¥0.11248 ¥0.1184
    • 500+

      ¥0.087305 ¥0.0919
    • 2000+

      ¥0.07334 ¥0.0772
    • 5000+

      ¥0.06498 ¥0.0684
    • 25000+

      ¥0.05776 ¥0.0608
    • 50000+

      ¥0.05377 ¥0.0566
  • 有货
  • 适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
    • 50+

      ¥0.115995 ¥0.1221
    • 500+

      ¥0.090345 ¥0.0951
    • 2000+

      ¥0.076095 ¥0.0801
    • 5000+

      ¥0.067545 ¥0.0711
    • 25000+

      ¥0.060135 ¥0.0633
    • 50000+

      ¥0.056145 ¥0.0591
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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      ¥0.1173
    • 500+

      ¥0.0914
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      ¥0.077
    • 4000+

      ¥0.0684
    • 24000+

      ¥0.0609
    • 50000+

      ¥0.0568
  • 有货
  • 适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
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      ¥0.12768 ¥0.1344
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    • 1000+

      ¥0.08379 ¥0.0882
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      ¥0.074385 ¥0.0783
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