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首页 > 热门关键词 > 贴片电容105
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1uF ±10% 100V
型号：1812B105K101CT 编号：C575465
封装：1812
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
数据手册

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    1uF ±10% 35V
    型号：C1005X5R1V105K050BE 编号：C2169271
    封装：0402
    品牌：TDK
    产品将导电树脂层结合到终端电极中。树脂层可保护陶瓷体免受热冲击和电路板弯曲的影响。
    数据手册

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      ￥1.21491 ￥1.3499

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      ￥0.76581 ￥0.8509

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      ￥0.65151 ￥0.7239
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    1uF ±10% 16V
    型号：VJ0402G105KXJCW1BC 编号：C3901707
    封装：0402
    品牌：VISHAY(威世)

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      ￥2.1266

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      ￥1.6957

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      ￥1.5111
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    1uF ±10% 100V
    型号：C1210C105K1RACTU 编号：C2171303
    封装：1210
    品牌：KEMET(基美)
    X7R电介质的最高工作温度为125°C,被认为是温度稳定的。电子元件、组件和材料协会(EIA)将X7R电介质归类为II类材料。此类组件是固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化是可预测的,并且相对于环境温度的电容变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.15

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      ￥2.03
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    1uF ±10% 50V
    型号：C1210C105K5NACTU 编号：C2167788
    封装：1210
    品牌：KEMET(基美)

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      ￥9.11

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      ￥7.63

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      ￥6.82
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    1uF ±20% 10V
    型号：298D105X0010K2T 编号：C1952844
    封装：0402
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：小尺寸,包括0603和0402封装。无铅(Pb)L形面朝下终端。可提供符合EIA 481的8mm卷带包装,绕线符合IEC 60286 3。7英寸[178mm]标准。安装方式:表面贴装。湿度敏感度等级1(例外情况请参考“标准额定值”表)。材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档
    数据手册

    • 1+

      ￥10.6

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      ￥7.99
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    1uF ±10% 200V
    型号：VJ2225Y105KXCAT 编号：C2167951
    封装：2225
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：COG (NPO) 和 X7R 电介质。COG (NPO) 是超稳定电介质,提供非常低的电容温度系数 (TCC)。COG (NPO) 具有低损耗。出色的老化特性。适用于去耦和滤波 (X7R)。适用于浪涌抑制和高压应用。多种外壳尺寸、电压额定值和电容值。湿法制造工艺。可靠的贵金属电极 (NME) 系统。应用：定时和调谐电路。传感器和扫描仪应用。去耦和滤波。浪涌抑制
    数据手册

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      ￥23.18

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      ￥22.39
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    1uF ±10% 25V
    型号：C1206R105K3RAC7800 编号：C2183937
    封装：1206
    品牌：KEMET(基美)
    数据手册

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      ￥37.17

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    • 30+

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    1uF ±20% 630V
    型号：KC355TD7LQ105MV01L 编号：C7213064
    封装：SMD,6.1x5.3mm
    品牌：muRata(村田)

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      ￥41.21

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      ￥32.82
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    1uF
    型号：MSASL063AB5105MF1A01 编号：C48580069
    封装：0201
    品牌：TAIYO YUDEN(太诱)
    1UF 10V 0201 X5R M LDK063ABJ105MP-F

    • 100+

      ￥0.0102

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    1uF ±10% 6.3V
    型号：TCC0402X5R105K6R3ATN 编号：C7393850
    封装：0402
    品牌：CCTC(三环)
    应用：隔直电路。耦合电路。旁路电路。鉴频电路

    • 100+

      ￥0.0116

    • 1000+

      ￥0.0087

    • 3000+

      ￥0.0072
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    1uF ±10% 10V
    型号：0402S105K100CT 编号：C3833440
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

    • 100+

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      ￥0.0117
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    1uF ±10% 6.3V
    型号：0402X105K6R3CT 编号：C295938
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

    • 100+

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    1uF ±10% 6.3V
    型号：FS15B105K6R3PNG 编号：C525327
    封装：0402
    品牌：PSA(信昌电陶)
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0256

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      ￥0.0202

    • 3000+

      ￥0.0171
  • 有货
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    1uF ±10% 6.3V
    型号：FS15S105K6R3PKG 编号：C2929192
    封装：0402
    品牌：PSA(信昌电陶)
    采用无铅或镉的环保材料制造。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是用于LCD背光逆变器应用的安全设计。
    数据手册

    • 50+

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    1uF ±20% 16V
    型号：0402X105M160CT 编号：C3889771
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

    • 100+

      ￥0.0299

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    1uF ±10% 6.3V
    型号：GRM155C80J105KE02D 编号：C882537
    封装：0402
    品牌：muRata(村田)
    数据手册

    • 100+

      ￥0.037

    • 1000+

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    • 3000+

      ￥0.0254
  • 有货
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    1uF ±10% 16V
    型号：0603X105K160CT 编号：C105504
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0372

    • 500+

      ￥0.0296

    • 1500+

      ￥0.0254

    • 4000+

      ￥0.0193

    • 24000+

      ￥0.0171

    • 48000+

      ￥0.0159
  • 有货
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    1uF ±10% 16V
    型号：FS18B105K160PBG 编号：C328910
    封装：0603
    品牌：PSA(信昌电陶)
    多层陶瓷片式电容器采用散装或卷带包装,非常适合厚膜混合电路以及在任何印刷电路板上进行自动表面贴装。镍阻挡层端接由镀在银金属化层上的镍阻挡层组成,然后通过电镀焊料层进行表面处理,以确保端接具有良好的可焊性。端接中的镍阻挡层可防止在高温焊接时,端接长时间浸入熔融焊料中发生溶解。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0379

    • 1000+

      ￥0.0293

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      ￥0.0245
  • 有货
    • 立即购买
    1uF ±10% 10V
    型号：0603B105K100CT 编号：C107443
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0386

    • 1000+

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    • 4000+

      ￥0.0237
  • 有货
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    1uF ±10% 6.3V
    型号：0402B105K6R3CT 编号：C2918635
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC 由导电材料和电极组成。为制造片式 SMT 并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由 NP0、X7R、X6S、X5R 和 Y5V 介电材料制成,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0397

    • 1000+

      ￥0.031

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    • 50000+

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      ￥0.0172
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    JMK063BC6105MP-F 1uF ±20% 6.3V
    型号：MSASJ063BC6105MFNA01 编号：C6600199
    封装：0201
    品牌：TAIYO YUDEN(太诱)

    • 100+

      ￥0.0421

    • 1000+

      ￥0.0334

    • 3000+

      ￥0.0286
  • 有货
    • 立即购买
    1uF ±10% 6.3V
    型号：TCC0402X7T105K6R3ATM 编号：C48543634
    封装：0402
    品牌：CCTC(三环)

    • 100+

      ￥0.0435

    • 1000+

      ￥0.0337

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      ￥0.0283
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    1uF ±10% 16V
    型号：CL10B105KO8NNND 编号：C913914
    封装：0603
    品牌：SAMSUNG(三星)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0486

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      ￥0.0393

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      ￥0.0223
  • 订货
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    1uF ±10% 16V
    型号：CL10A105KO8NNNL 编号：C913903
    封装：0603
    品牌：SAMSUNG(三星)
    数据手册

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      ￥0.0499

    • 500+

      ￥0.0397

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      ￥0.0222
  • 订货
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    1uF ±20% 6.3V
    型号：02016D105MAT2A 编号：C596998
    封装：0201
    品牌：Kyocera AVX
    数据手册

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      ￥0.0501

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      ￥0.0232
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    1uF ±10% 25V
    型号：TCC0805X7R105K250DT 编号：C376925
    封装：0805
    品牌：CCTC(三环)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0518

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      ￥0.0401

    • 1500+

      ￥0.0335
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    1uF ±10% 10V
    型号：C0402C105K8PAC7867 编号：C5449063
    封装：0402
    品牌：KEMET(基美)
    X5R介质的最高工作温度为85°C,被认为是“半稳定”的。电子元件、组件和材料协会(EIA)将X5R介质归类为II类材料。这种分类的组件是固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X5R的电容随时间和电压的变化是可预测的,并且相对于环境温度的电容变化极小。在-55°C至+85°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。

    • 50+

      ￥0.0529

    • 500+

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      ￥0.034

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      ￥0.03

    • 20000+

      ￥0.0264

    • 50000+

      ￥0.0246
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    1uF ±10% 25V
    型号：CL21B105KAFNNNG 编号：C913938
    封装：0805
    品牌：SAMSUNG(三星)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0588

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      ￥0.0578

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      ￥0.0509

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      ￥0.0502
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    1uF -20%~+80% 50V
    型号：0805F105Z500NT 编号：C2894314
    封装：0805
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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