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首页 > 热门关键词 > 0201贴片电容
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±0.1pF 0.1pF 50V
型号：RF03N0R1B500CT 编号：C180286
封装：0201
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    ±0.1pF 2.3pF 50V
    型号：CQ0201BRNPO9BN2R3 编号：C3892199
    封装：0201
    品牌：YAGEO(国巨)
    特性：以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:I级。应用：消费电子,例如。调谐器

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    220nF ±10% 10V
    型号：GRM033C81A224KE01D 编号：C20044506
    封装：0201
    品牌：muRata(村田)
    数据手册

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    ±0.1pF 0.3pF 50V
    型号：RF03N0R3B500CT 编号：C172865
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    10pF ±2% 50V
    型号：GJM0335C1H100GB01D 编号：C3861369
    封装：0201
    品牌：muRata(村田)
    应用：通用电子设备

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    ±0.1pF 1pF 25V
    型号：RF03N1R0B250 编号：C172832
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    12pF ±1% 50V
    型号：GCM0335C1H120FA16D 编号：C17396461
    封装：0201
    品牌：muRata(村田)

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    ±0.05pF 0.4pF 50V
    型号：GCM0335C1HR40WA16D 编号：C17196204
    封装：0201
    品牌：muRata(村田)

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    15pF ±2% 25V
    型号：RF03N150G250CT 编号：C396861
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    3.9pF 50V
    型号：CQ0201ARNPO9BN3R9 编号：C7233108
    封装：0201
    品牌：YAGEO(国巨)

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    ±0.05pF 0.5pF 50V
    型号：GJM0335C1HR50WB01D 编号：C237424
    封装：0201
    品牌：muRata(村田)
    数据手册

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    ±0.05pF 1.8pF 50V
    型号：RF03N1R8A500CT 编号：C384694
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NPO(C0G)和X8G分类要求的±30ppm/°C范围内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q特性。

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    KAM03CT70J474KH
    型号：KAM03CT70J474KH 编号：C25094195
    封装：0201
    品牌：Kyocera AVX

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    100nF ±20% 6.3V
    型号：TCC0201X5R104M6R3ZT 编号：C2903664
    封装：0201
    品牌：CCTC(三环)
    COG类介质材料的电容器为I类电容器,电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的电路中,如滤波器、谐振器和计时电路。X7R、X5R、X6S、X7T类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路。Y5V类介质材料的电容器为II类电容器,是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,温度变化不大的电路。
    数据手册

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    2.2nF ±10% 50V
    型号：TCC0201X7R222K500ZT 编号：C5142540
    封装：0201
    品牌：CCTC(三环)
    COG:此类介质材料的电容器电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化。适用于低损耗,稳定性要求高的电路中,如滤波器、谐振器和计时电路中。X7R、X5R、X6S、X7T:此类介质材料的电容器具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。Y5V:此类介质材料的电容器是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,温度变化不大的电路中。
    数据手册

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    22pF ±10% 50V
    型号：0201CG220K500NT 编号：C301905
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
    数据手册

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    ±0.25pF 5pF 50V
    型号：0201CG5R0C500NT 编号：C285006
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    ±0.25pF 2pF 50V
    型号：0201CG2R0C500NT 编号：C233263
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    特性：叠层独石结构,具有高可靠性能。具有优良的焊接与耐焊性能,适用于回流焊接与波峰焊接。具有较高的容量且容量性能稳定。应用：应用于各种滤波、耦合、谐振、旁路、高频电子线路
    数据手册

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    68pF ±5% 50V
    型号：0201CG680J500NT 编号：C192309
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频和温度补偿型高频电容器。其中通用型高频电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。温度补偿型高频电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    ±0.25pF 8.2pF 50V
    型号：0201CG8R2C500NT 编号：C67499
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    3.3nF ±10% 50V
    型号：0201B332K500NT 编号：C285110
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    1.5nF ±10% 50V
    型号：0201B152K500NT 编号：C285104
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    56pF ±5% 50V
    型号：0201CG560J500NT 编号：C192308
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    ±0.25pF 3.3pF 50V
    型号：0201CG3R3C500NT 编号：C67496
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    6.8nF ±10% 50V
    型号：0201B682K500NT 编号：C285015
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    通用型COG片容属于I类高电容器,其电容量非常稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化。尤其适用于高频电子线路。通用型X7R片容属于II类低电容器,其电容量相对稳定。通用型X5R片容属于II类低电容器,其电容量相对稳定。通用型Y5V片容属于II类低电容器,其电容量受温度、电压、时间变化大。通用型Z5U片容属于II类低频电容器,其电容量的稳定性介于X7R和Y5V之间。通用型PH、RH、SH、TH、UJ、SL片容属于I类电容器。通用高Q型片容属于I类高电容器。
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    27pF ±5% 50V
    型号：0201CG270J500NT 编号：C62541
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    22pF ±5% 25V
    型号：0201CG220J250NT 编号：C285194
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    特性：叠层独石结构,具有高可靠性能。具有优良的焊接与耐焊性能,适用于回流焊接与波峰焊接。具有较高的容量且容量性能稳定。应用：应用于各种滤波、耦合、谐振、旁路、高频电子线路

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    20pF ±5% 50V
    型号：0201CG200J500NT 编号：C71879
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    10nF ±10% 16V
    型号：0201B103K160NT 编号：C285154
    封装：0201
    品牌：FH(风华)
    高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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    10nF ±10% 10V
    型号：0201B103K100NT 编号：C301891
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