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  • 1+

    ¥71.79
  • 10+

    ¥61.94
  • 60+

    ¥55.93
  • 有货
    • 1+

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    • 60+

      ¥55.93
  • 有货
  • 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别
    数据手册
    • 1+

      ¥79.74
    • 10+

      ¥65.03
    • 25+

      ¥59.14
    • 100+

      ¥54
  • 有货
  • 输出功率为30W,4:1宽电压输入范围,效率高达91%,1500VDC的常规隔离电压,允许工作温度 -40℃ 至 +85℃,具有输入欠压保护,输出过压、过流、短路保护功能,裸机满足CISPR32/EN55032 CLASS A。
    • 1+

      ¥85.85
    • 10+

      ¥81.91
    • 40+

      ¥75.08
  • 有货
  • 超宽范围输入(4:1) ,输出30W,转换效率91% (Typ),隔离电压1500Vdc,超低待机功耗:0.036W(典型值),超快速启动:1mS(典型值),工作温度范围:-40℃~+85℃,输入欠压,输出短路,过流,过压保护金属外壳,输出纹波低,国际标准引脚,PCB板直插安装
    • 1+

      ¥93.6105 ¥110.13
    • 10+

      ¥89.454 ¥105.24
    • 40+

      ¥82.2545 ¥96.77
    • 100+

      ¥75.973 ¥89.38
  • 有货
  • 超级网口USR-K3是一款全新的、小体积的串口转以太网模块,这是一款能实现网口与TTL串口之间直接的数据透明传输的设备。搭载ARM公司的Cortex-M4处理器,具有功耗低、速度快、稳定性高等优点。 本产品宽度等同于普通的RJ45座,长度更是不到普通网口座的两倍,具有超小体积,并且在全速工作的时候电流仅为120mA。
    数据手册
    • 1+

      ¥96.07
    • 10+

      ¥89.59
  • 有货
  • 封装形式:2”X1”工作温度范围:-40℃ -+105℃隔离耐压:1600VDC最高效率:93%,具备输入欠压保护,输出过短路、过流、过压保护机制,4:1超宽输入电压范围,应用领域:工业、电力、仪器仪表、通信、轨道交通等
    • 1+

      ¥101.3965 ¥119.29
    • 27+

      ¥96.2965 ¥113.29
  • 有货
  • 输出功率为30W,4:1超宽电压输入范围,效率高达90%,1500VDC常规隔离电压,允许工作温度-40℃ to +105℃,具有输入欠压保护,输出短路、过流、过压保护功能。
    • 1+

      ¥121.22
    • 10+

      ¥117.01
    • 38+

      ¥109.72
    • 95+

      ¥103.81
    • 494+

      ¥102.47
  • 有货
  • FHT4644是非隔离式降压型一体式塑封点电源,适用于 嵌入式大电流负载点,其体积仅有9×15×4.32mm可直接 放置于FPGA/CPU旁边,非常适合低输出电压、多路应 用的场合。可以从 4.0V~14V 电压转换至 0.8~5.5V,提供四路 ON/OFF 控制,四路 Power Good, OCP、OVP、UVP、OTP 保护功能。
    • 1+

      ¥129.447 ¥143.83
    • 10+

      ¥123.903 ¥137.67
    • 30+

      ¥114.3 ¥127
    • 135+

      ¥105.93 ¥117.7
  • 有货
  • WRA1250MD-4W体积小: 25.4*25.4*10.0mmDIP 金属屏蔽封装,国际标准引脚方式宽电压输入范围 2:1效率高达 78%额定输出功率 4W符合 RoHS隔高电压 1500VDC工作温度范围: -40℃~ +85℃输出 短路保护(自恢复)
    • 1+

      ¥157.76 ¥185.6
    • 40+

      ¥152.32 ¥179.2
  • 有货
  • 体积小: 25.4*25.4*10.0mmDIP 金属屏蔽封装,国际标准引脚方式宽电压输入范围 2:1效率高达 78%额定输出功率 4W符合 RoHS隔高电压 1500VDC工作温度范围: -40℃~ +85℃输出 短路保护(自恢复)
    • 1+

      ¥160.48 ¥188.8
    • 40+

      ¥152.32 ¥179.2
  • 有货
  • 体积小: 25.4*25.4*10.0mmDIP 金属屏蔽封装,国际标准引脚方式宽电压输入范围 2:1效率高达 78%额定输出功率 4W符合 RoHS隔高电压 1500VDC工作温度范围: -40℃~ +85℃输出 短路保护(自恢复)
    • 1+

      ¥162.231 ¥190.86
    • 40+

      ¥154.0795 ¥181.27
  • 有货
  • 体积小: 25.4*25.4*10.0mmDIP 金属屏蔽封装,国际标准引脚方式宽电压输入范围 2:1效率高达 78%额定输出功率 4W符合 RoHS隔高电压 1500VDC工作温度范围: -40℃~ +85℃输出 短路保护(自恢复)
    • 1+

      ¥162.231 ¥190.86
    • 40+

      ¥154.0795 ¥181.27
  • 有货
  • 体积小: 25.4*25.4*10.0mmDIP 金属屏蔽封装,国际标准引脚方式宽电压输入范围 2:1效率高达 78%额定输出功率 4W符合 RoHS隔高电压 1500VDC工作温度范围: -40℃~ +85℃输出 短路保护(自恢复)
    • 1+

      ¥162.231 ¥190.86
    • 20+

      ¥154.0795 ¥181.27
  • 有货
  • 特性:电气特性:扩展工作温度T(v_ijop)。 低V(CEsat)。 高鲁棒性。 V(CEsat)具有正温度系数。机械特性:4 kV AC 1min绝缘。 CTI > 400的封装。应用:高功率转换器。电机驱动器
    • 1+

      ¥638.49
    • 30+

      ¥609.41
  • 有货
  • 特性:电流-IGT: 200 μA。 ITRMS: 0.8 A。 VRRM / VDRM: 400 V、600 V。 工作和储存结温范围 TJ、Tstg: -55°C 至 +150°C
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4891
    • 100+

      ¥0.3938
    • 300+

      ¥0.3461
    • 1000+

      ¥0.2945
  • 有货
  • 类型:非绝缘型灵敏门极双向三端晶闸管 峰极门极功率(PGM):1.5W
    • 5+

      ¥0.6131
    • 50+

      ¥0.4931
    • 150+

      ¥0.4331
    • 500+

      ¥0.3881
    • 2500+

      ¥0.3118
    • 5000+

      ¥0.2938
  • 有货
  • AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.6248
    • 50+

      ¥0.4904
    • 150+

      ¥0.4232
    • 500+

      ¥0.3728
    • 3000+

      ¥0.3325
  • 有货
  • AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7208
    • 50+

      ¥0.6263
    • 150+

      ¥0.5858
    • 500+

      ¥0.5352
    • 2500+

      ¥0.5127
    • 5000+

      ¥0.4992
  • 有货
  • AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7458
    • 50+

      ¥0.6513
    • 150+

      ¥0.6108
    • 500+

      ¥0.5603
    • 2500+

      ¥0.5378
  • 有货
  • AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7458
    • 50+

      ¥0.6513
    • 150+

      ¥0.6108
    • 500+

      ¥0.5603
    • 2500+

      ¥0.5378
    • 5000+

      ¥0.5243
  • 有货
  • 应用:适合于TTL、HTL、CMOS电路。 小功率交流开关。 风扇控制。 照明控制
    • 5+

      ¥0.7617
    • 50+

      ¥0.5937
    • 150+

      ¥0.5097
    • 500+

      ¥0.4467
    • 2500+

      ¥0.3963
    • 5000+

      ¥0.371
  • 有货
  • AO4409A(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409A(ES)为无铅产品
    • 5+

      ¥0.8248
    • 50+

      ¥0.652
    • 150+

      ¥0.5656
    • 500+

      ¥0.5008
    • 2500+

      ¥0.449
    • 4000+

      ¥0.423
  • 有货
  • 高Di/Dt使可靠性高,低VTM减小导通损耗。应用:热吹风筒、扫地机、加热器等。
    • 5+

      ¥0.8313
    • 50+

      ¥0.6677
    • 150+

      ¥0.5859
    • 500+

      ¥0.5245
  • 有货
  • 该BT137系列为四象限双向可控硅
    • 5+

      ¥0.92131 ¥0.9698
    • 50+

      ¥0.72979 ¥0.7682
    • 150+

      ¥0.64771 ¥0.6818
    • 500+

      ¥0.5453 ¥0.574
    • 2500+

      ¥0.4997 ¥0.526
    • 5000+

      ¥0.47234 ¥0.4972
  • 有货
  • 可控硅晶闸管大量应用家用电器,电源等领域
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9267
    • 50+

      ¥0.7251
    • 150+

      ¥0.6387
    • 500+

      ¥0.5309
  • 有货
  • BT137S - 800 三端双向可控硅适用于通用交流开关。它可在加热调节、感应电机启动电路等应用中用作开关功能,也可在调光器、电机速度控制器中用于相位控制操作。TO - 252 封装符合 RoHS 标准
    • 5+

      ¥0.9267
    • 50+

      ¥0.7251
    • 150+

      ¥0.6387
    • 500+

      ¥0.5309
  • 有货
  • AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.9387
    • 50+

      ¥0.7371
    • 150+

      ¥0.6507
    • 500+

      ¥0.5429
    • 2500+

      ¥0.4949
    • 5000+

      ¥0.466
  • 有货
  • 可控硅晶闸管大量应用家用电器,电源等领域
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9669
    • 50+

      ¥0.7653
    • 150+

      ¥0.6789
    • 500+

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