TLC271CDR

TLC271运算放大器将宽范围输入失调电压等级、低失调电压漂移和高输入阻抗结合在一起。此外，TLC271还提供偏置选择模式，允许用户针对特定应用选择功率耗散和交流性能的最佳组合。这些器件采用德州仪器的硅栅极LinCMOSTM技术，其偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺。

利用偏置选择选件，这些高性价比器件可编程用于以前需要BiFET、NFET或双极技术的各种应用。从低成本的TLC271（10 mV）到TLC271B（2 mV）低偏移版本，有三种偏移电压等级（C-缀合和I-缀合类型）可供选择。这些器件具有极高的输入阻抗和较低的偏置电流，同时具有良好的共模抑制和电源电压抑制能力，是最新设计和升级现有设计的理想选择。

一般来说，LinCMOSTM运算放大器具有许多与双极技术相关的功能，但没有双极技术的功率损耗。使用TLC271可以轻松设计传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲等一般应用。这些器件还具有低压单电源工作特性，非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

提供多种封装选项，包括适用于高密度系统应用的小外型和芯片载体版本。

该器件的输入和输出可承受-100-mA的浪涌电流，而不会发生闩锁（latch-up）。

根据MIL-STD-883C方法3015.2的测试，TLC271集成了内部ESD保护电路，可防止在高达2000 V的电压下发生功能故障；但是，在处理这些器件时应小心谨慎，因为暴露在ESD下可能会导致器件参数性能下降。

C系列器件的工作温度范围为0°C至70°C。I-suffix器件的工作温度范围为-40°C至85°C。M-suffix器件的工作温度范围为-55°C至125°C。