STL90N10F7
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N通道,100 V,70 A,0.007 ohm,PowerFLAT,表面安装
- 英文描述N-channel 100 V,0.007 Ohm typ.,70 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
- 数据手册STL90N10F7数据手册Datasheet PDF
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STL90N10F7概述
STL90N10F7 N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
产品特性
市场上最低的RDS(on)
出色的品质因数（FoM）
低Crss/Ciss比，抗EMI
坚固的抗雪崩能力
产品应用
智能充电器和适配器
电视PSU
产品特性
市场上最低的RDS(on)
出色的品质因数（FoM）
低Crss/Ciss比，抗EMI
坚固的抗雪崩能力
产品应用
智能充电器和适配器
电视PSU
STL90N10F7中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | Id-连续漏极电流: | 16 A |
| 产品种类: | MOSFET | Rds On-漏源导通电阻: | 10.5 mOhms |
| 技术: | Si | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| 安装风格: | SMD/SMT | Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
| 封装 / 箱体: | PowerFLAT-5x6-8 | Qg-栅极电荷: | 39 nC |
| 晶体管极性: | N-Channel | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 通道数量: | 1 Channel | 最大工作温度: | + 175 ℃ |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | Pd-功率耗散: | 5 W |
STL90N10F7引脚图
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