ADR444BRZ-REEL7
- 厂商名称ADI
- 元件分类电压基准芯片
- 中文描述电压基准IC，3ppm/°C，4.096V,1.6mV，系列，NSOIC-8，-40°C至125°C
- 英文描述Ultralow Noise,LDO XFET®4.096V Voltage Reference w/Current Sink and Source<br />
- 数据手册ADR444BRZ-REEL7数据手册Datasheet PDF
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ADR444BRZ-REEL7概述
ADR444是一款超低噪声的LDO XFET电压基准，带有灌流/源流功能。该电压基准具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用Analog Devices,Inc.的温度漂移曲率校正和额外的植入式结FET（XFET）技术，该器件的电压变化与温度的非线性关系被大大降低了。XFET基准比埋入式齐纳基准具有更好的噪声性能，XFET基准在低电源电压余量（500mV）下工作。这些特点的结合使得该器件非常适合于高端数据采集系统、光网络和医疗应用中的精密信号转换应用。应用包括精密数据采集系统、高分辨率数据转换器、电池供电的仪器、便携式医疗仪器、工业过程控制系统、精密仪器和光学控制电路。
电源电压工作范围为4.6V至18V
高输出拉电流与灌电流分别为+10mA和-5mA
典型输出电压为4.096V，初始精度为±1.6mV/0.04%（VIN=4.6V至18V，TA=25°C）
在-40°C<TA<+125°C时，温度系数为3ppm/°C（最大值）
在fIN=1KHz，VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，纹波抑制比为-80dB
在0.1Hz至10Hz，VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，电压噪声为1.8µV p-p
在VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，启动沉降时间为10µs
线路调节最大为+20ppm/V(-40°C<TA<+125°C)
负载调节为±50ppm/mA(ILAD=0mA至-5mA,VIN=5.5 V,-40°C<TA<+125°C)
8引脚SOIC
N封装，-40°C至+125°C温度范围
电源电压工作范围为4.6V至18V
高输出拉电流与灌电流分别为+10mA和-5mA
典型输出电压为4.096V，初始精度为±1.6mV/0.04%（VIN=4.6V至18V，TA=25°C）
在-40°C<TA<+125°C时，温度系数为3ppm/°C（最大值）
在fIN=1KHz，VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，纹波抑制比为-80dB
在0.1Hz至10Hz，VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，电压噪声为1.8µV p-p
在VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，启动沉降时间为10µs
线路调节最大为+20ppm/V(-40°C<TA<+125°C)
负载调节为±50ppm/mA(ILAD=0mA至-5mA,VIN=5.5 V,-40°C<TA<+125°C)
8引脚SOIC
N封装，-40°C至+125°C温度范围
ADR444BRZ-REEL7中文参数
| 制造商: | Analog Devices Inc. | 最大工作温度: | + 125 ℃ |
| 产品种类: | 电压基准芯片 | 系列: | ADR444 |
| 安装风格: | SMD/SMT | 准确性: | 50 ppm/mA |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 | 商标: | Analog Devices |
| 参考类型: | Series Precision References | 高度: | 1.5 mm (Max) |
| 输出电压: | 4.096 V | 输入电压: | 4.6 V to 18 V |
| 初始准确度: | 0.0004 | 长度: | 5 mm (Max) |
| 温度系数: | 1 PPM / C | 负载调节: | 50 ppm/mA |
| 串联VREF—输入电压—最大值: | 18 V | 工作电源电流: | 3.75 mA |
| 分流电流—最大值: | 10 mA | 输出电流: | 10 mA |
| 最小工作温度: | - 40 ℃ |
ADR444BRZ-REEL7引脚图
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