STD15NF10T4
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，23 A，0.065 ohm，TO-252(DPAK)，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab)DPAK T/R
- 数据手册STD15NF10T4数据手册Datasheet PDF
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STD15NF10T4概述
STD15NF10T4是一款STripFET?II N沟道功率MOSFET，设计用于降低输入电容和栅极电荷。适合用作高效率高频隔离DC-DC转换器的主开关，用于电信和计算机应用。还适用于需要低栅极驱动的任何应用。
出色的dv/dt能力
100％经过雪崩测试
针对应用的表征
工作结温范围-55至175°C
应用
电源管理，通信与网络，计算机和计算机周边，工业
出色的dv/dt能力
100％经过雪崩测试
针对应用的表征
工作结温范围-55至175°C
应用
电源管理，通信与网络，计算机和计算机周边，工业
STD15NF10T4中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 23 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 100 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | 长度 | 6.6mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 系列 | STripFET |
| 引脚数目 | 3 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ | 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 2.4mm |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 宽度 | 6.2mm |
| 最大功率耗散 | 70 W | 晶体管材料 | Si |
STD15NF10T4引脚图
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