L6561D013TR
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述双路场效应管，MOSFET，互补N与P沟道，40 V，9 A，0.019 ohm，TO-252(DPAK)，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab)DPAK T/R
- 数据手册L6561D013TR数据手册Datasheet PDF
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L6561D013TR概述
FDD8424H是一款40V双N沟道和P沟道PowerTrench®MOSFET，专门设计用于最大限度地降低导通电阻并保持低栅极电荷以实现卓越的开关性能。最新的中压功率MOSFET是结合小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关，有助于AC/DC电源同步整流的快速开关。它采用提供电荷平衡的屏蔽栅结构。通过利用这种先进技术，这些器件的FOM（品质因数(QGxRDS(ON))）比上一代低66%。新型PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代更高额定电压-MOSFET需要的电路，因为它可以最大限度地减少同步整流中不希望有的电压尖峰。该产品是通用的，适用于许多不同的应用。
L6561D013TR中文参数
| 通道类型 | N，P | 晶体管配置 | 共漏极 |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A，9 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 40 V | 每片芯片元件数目 | 2 |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | 长度 | 6.73mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 6.22mm |
| 引脚数目 | 5 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ，54 mΩ | 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V，17 nC @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 2.39mm |
| 最大栅阈值电压 | 3V | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 系列 | PowerTrench |
| 最大功率耗散 | 3100 mW | 最低工作温度 | -55 °C |
L6561D013TR引脚图
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