STP5NK80Z
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，800 V，4.3 A，1.9 ohm，TO-220，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab)TO-220FP Tube
- 数据手册STP5NK80Z数据手册Datasheet PDF
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STP5NK80Z概述
STP5NK80Z是采用SuperMESH?技术开发的800V N通道齐纳保护功率MOSFET，通过优化已建立的基于条带的PowerMESH?布局来实现。除了大幅降低导通电阻外，还要特别注意确保最苛刻的应用具有非常好的dv/dt能力。改善了栅极电荷并降低了功耗，以满足当今具有挑战性的效率要求。
经过100％雪崩测试
栅极电荷最小化
极低的本征电容
极好的制造重复性
应用
工业
经过100％雪崩测试
栅极电荷最小化
极低的本征电容
极好的制造重复性
应用
工业
STP5NK80Z中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 4.3 A | 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 最大漏源电压 | 800 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220 | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 通孔 | 长度 | 10.4mm |
| 引脚数目 | 3 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大漏源电阻值 | 2.4 Ω | 宽度 | 4.6mm |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 9.15mm |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最小栅阈值电压 | 3V | 系列 | MDmesh, SuperMESH |
| 最大功率耗散 | 110000 mW | 典型栅极电荷@Vgs | 32.4 nC @ 10 V |
STP5NK80Z引脚图
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