IRF630
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，9 A，0.4 ohm，TO-220，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRF630数据手册Datasheet PDF
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IRF630概述
STMicroelectronics公司的IRF630是一款通孔200V N通道网格覆盖II功率MOSFET，TO-220封装.该功率MOSFET采用该公司MESH OVERLAY工艺设计，基于统一带状布局，该工艺匹配并改善了性能.具有极高的dv/dt能力，极低的内部电容与最小化栅极电荷.
漏极至源极电压(Vds)为200V
栅-源电压:±20V
连续漏极电流(Id):9A
功耗(Pd):75W
工作结温范围:-65°C至150°C
栅极阈值电压为3V
350mohm低导通电阻，Vgs 10V
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业
漏极至源极电压(Vds)为200V
栅-源电压:±20V
连续漏极电流(Id):9A
功耗(Pd):75W
工作结温范围:-65°C至150°C
栅极阈值电压为3V
350mohm低导通电阻，Vgs 10V
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业
IRF630中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 0.375 | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 200 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220 | 最低工作温度 | -65 °C |
| 安装类型 | 通孔 | 系列 | STripFET |
| 引脚数目 | 3 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大漏源电阻值 | 400 mΩ | 高度 | 9.15mm |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 宽度 | 4.6mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 长度 | 10.4mm |
| 最大功率耗散 | 75 W | 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |
IRF630引脚图
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