BSS84P
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，60 V，170 mA，8 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册BSS84P数据手册Datasheet PDF
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BSS84P概述
Infineon公司的BSS84P H6327是一款表面安装，P沟道逻辑电平增强型SIPMOS小信号晶体管，SOT-23封装.该器件具有dv/dt与Avalanche评级.
车用级别AEC-Q101合规
漏-源电压(Vds):-60V
栅-源电压:±20V
连续漏极电流(ld):-170mA
功率耗散:360mW
运行温度范围-55°C至150°C
Vgs-4.5V时，8ohm低导通电阻
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业，车用
车用级别AEC-Q101合规
漏-源电压(Vds):-60V
栅-源电压:±20V
连续漏极电流(ld):-170mA
功率耗散:360mW
运行温度范围-55°C至150°C
Vgs-4.5V时，8ohm低导通电阻
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业，车用
BSS84P中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 170 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 宽度 | 1.3mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 晶体管材料 | Si |
| 引脚数目 | 3 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大漏源电阻值 | 8 Ω | 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 2V | 高度 | 1mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 长度 | 2.9mm |
| 最大功率耗散 | 360 mW | 系列 | SIPMOS |
BSS84P引脚图
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