HMC8038LP4CETR
- 厂商名称ADI
- 元件分类射频开关
- 中文描述射频开关，硅，SPDT，100MHz至6GHz，3.3V至5V电源，-40至105°C，LFCSP-EP-16
- 英文描述RF Switch ICs High isolation,non-reflective,single s
- 数据手册HMC8038LP4CETR数据手册Datasheet PDF
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HMC8038LP4CETR概述
HMC8038是一款高隔离、无反射、0.1GHz至6GHz、硅单刀双掷(SPDT)开关，采用无铅表面贴装封装。该开关是蜂窝基础设施应用的理想之选，具有高达62dB的隔离度（最高4GHz）、低至0.8dB的插入损耗（最高4GHz）和60dBm的输入三阶截取。功率处理能力出色，最高可达6GHz，0.1dB压缩点(P0.1dB)的输入功率为35dBm（VDD=5V）。片上电路可在极低的直流电流下操作3.3V至5V的单一正电源电压，以及0V至1.8V/3.3V/5V的单一正电压控制。使能输入（EN）设置为逻辑高电平时，开关处于全关状态，此时RFC反射。它广泛应用于蜂窝/4G基础设施、无线基础设施、汽车远程信息处理、移动无线电、测试设备等。
无反射、50欧姆设计
高隔离度，典型值为60dB
通过路径的高功率处理能力为34dBm，终端路径为29dBm
4KV人体模型（HBM），3A级
1.25KV带电设备模型(CDM)
1.8V兼容控制，全关断状态控制
引脚与HMC849ALP4CE兼容
VDD=3.3V时的典型电源电流为0.14mA
工作温度为-40°C至+105°C
封装样式为16引线引线框架芯片级
无反射、50欧姆设计
高隔离度，典型值为60dB
通过路径的高功率处理能力为34dBm，终端路径为29dBm
4KV人体模型（HBM），3A级
1.25KV带电设备模型(CDM)
1.8V兼容控制，全关断状态控制
引脚与HMC849ALP4CE兼容
VDD=3.3V时的典型电源电流为0.14mA
工作温度为-40°C至+105°C
封装样式为16引线引线框架芯片级
HMC8038LP4CETR中文参数
| 制造商: | Analog Devices Inc. | 关闭隔离—典型值: | 51 dB |
| 产品种类: | RF 开关 IC | 最小工作温度: | - 40 ℃ |
| 开关配置: | SPDT | 最大工作温度: | + 105 ℃ |
| 最小频率: | 100 MHz | 安装风格: | SMD/SMT |
| 最大频率: | 6 GHz | 技术: | Si |
| 介入损耗: | 0.9 dB | 系列: | HMC8038 |
HMC8038LP4CETR引脚图
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