ADR435BRZ-REEL7
- 厂商名称ADI
- 元件分类电压基准芯片
- 中文描述电压基准IC，3ppm/°C，5V，2mV，系列，NSOIC-8，-40°C至125°C
- 英文描述Precision Voltage Reference 5V 0.04%30mA 18 V max.8-Pin SOIC
- 数据手册ADR435BRZ-REEL7数据手册Datasheet PDF
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ADR435BRZ-REEL7概述
ADR435系列是XFET®电压基准系列，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用Analog Devices,Inc.的温度漂移曲率校正和额外的植入式结FET（XFET）技术，器件中的电压变化与温度的非线性达到了最小化。与埋入式齐纳基准相比，XFET基准的工作电流更低（800µA），电源电压余量更低（2V）。埋入式齐纳基准需要超过5V的净空才能工作。该器件XFET基准是5V系统的低噪声解决方案。它能够提供高达30mA的输出电流和高达-20mA的汇流。它还配备了一个微调端子，可在±0.5%的范围内调整输出电压，而不影响性能。应用包括精密数据采集系统、高分辨率数据转换器、医疗仪器、工业过程控制系统、光学控制电路和精密仪器。可采用8引脚SOIC_N封装。
超低噪声的XFET电压基准，具有拉电流与灌电流能力
宽温范围:-40°C到+125°C
宽工作范围:7V到18V
5V输出电压（典型值），±2mV/±0.04%初始精度，3ppm/°C温度系数封装
无需外部电容器
在VIN=7V至18V时，线路调节为20ppm/V，-40°C<TA<+125°C
在IL=0mA至10mA，VIN=8V，-40°C<TA<+125°C时，负载调节为15ppm/mA
低噪音（0.1Hz至10Hz）为8µV p-p
在CL=0µF时，开启稳定时间为10µs
8引脚SOIC-N封装
超低噪声的XFET电压基准，具有拉电流与灌电流能力
宽温范围:-40°C到+125°C
宽工作范围:7V到18V
5V输出电压（典型值），±2mV/±0.04%初始精度，3ppm/°C温度系数封装
无需外部电容器
在VIN=7V至18V时，线路调节为20ppm/V，-40°C<TA<+125°C
在IL=0mA至10mA，VIN=8V，-40°C<TA<+125°C时，负载调节为15ppm/mA
低噪音（0.1Hz至10Hz）为8µV p-p
在CL=0µF时，开启稳定时间为10µs
8引脚SOIC-N封装
ADR435BRZ-REEL7中文参数
| 制造商: | Analog Devices Inc. | 最小工作温度: | - 40 ℃ |
| 产品种类: | 参考电压 | 最大工作温度: | + 125 ℃ |
| 安装风格: | SMD/SMT | 系列: | ADR435 |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 | 准确性: | 15 ppm/mA |
| 参考类型: | Series Precision References | 高度: | 1.5 mm (Max) |
| 输出电压: | 5 V | 输入电压: | 7 V to 18 V |
| 初始准确度: | 0.0004 | 长度: | 5 mm (Max) |
| 温度系数: | 1 PPM / C | 负载调节: | 15 ppm/mA |
| 串联VREF—输入电压—最大值: | 18 V | 工作电源电流: | 800 uA |
| 分流电流—最大值: | 30 mA | 输出电流: | 30 mA |
ADR435BRZ-REEL7引脚图
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