IRF630NPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述MOSFET，HEXFET系列，N沟道，Si，Vds=200 V，9.3 A，3引脚TO-220AB封装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- 数据手册IRF630NPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF630NPBF概述
IRF630NPBF是一款200V单N沟道HEXFET®功率MOSFET，具有极低的每硅面积导通电阻和使用先进平面技术的快速开关性能。
175°C工作温度
完全雪崩等级
动态dV/dt额定值
易于并行
简单的驱动要求
应用
电源管理
175°C工作温度
完全雪崩等级
动态dV/dt额定值
易于并行
简单的驱动要求
应用
电源管理
IRF630NPBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 9.3 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 200 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 通孔 | 宽度 | 4.69mm |
| 引脚数目 | 3 | 长度 | 10.54mm |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ | 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 8.77mm |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 10 V |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 82 W | 系列 | HEXFET |
IRF630NPBF引脚图
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