BSC070N10NS3G
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，100 V，90 A，0.0063 ohm，TDSON，表面安装
- 英文描述N-channel MOSFET Transistor，100A，100V，8-Pin TDSON
- 数据手册BSC070N10NS3G数据手册Datasheet PDF
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BSC070N10NS3G概述
英飞凌的100V OptiMOS?功率MOSFET可以为高效率、高功率密度的SMPS提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在R Ds（on）和FOM（品质因数）方面均降低了30％。
特征描述
优异的开关性能
世界较低的(R Ds(on))
极低的Qg和Qgd
出色的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
符合RoHS标准-无卤素
MSL1评级2
优势
环保
提高效率
极高的功率密度
减少并联
极低的板空间消耗
产品易于设计
潜在应用
AC-DC SMPS的同步整流
48V-80V系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）
隔离式DC-DC转换器（电讯和数据通信系统）
48V系统的开关和断路器
D类音频放大器
不间断电源(UPS)
特征描述
优异的开关性能
世界较低的(R Ds(on))
极低的Qg和Qgd
出色的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
符合RoHS标准-无卤素
MSL1评级2
优势
环保
提高效率
极高的功率密度
减少并联
极低的板空间消耗
产品易于设计
潜在应用
AC-DC SMPS的同步整流
48V-80V系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）
隔离式DC-DC转换器（电讯和数据通信系统）
48V系统的开关和断路器
D类音频放大器
不间断电源(UPS)
BSC070N10NS3G中文参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TDSON-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:6.3 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:55 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:114 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:8 ns
正向跨导-最小值:36 S
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TDSON-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:6.3 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:55 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:114 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:8 ns
正向跨导-最小值:36 S
BSC070N10NS3G引脚图
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