IRF530NPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, 通孔
- 英文描述N-Channel MOSFET，17 A，100 V HEXFET，3-Pin TO-220AB Infineon
- 数据手册IRF530NPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF530NPBF概述
Infineon公司的IRF530NPBF是一款100V单N沟道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.该MOSFET具有极低的单位面积导通电阻，动态dv/dt额定值，坚固耐用，快速开关，以及完全雪崩认证.这些功率MOSFET具有极高的效率和可靠性，可用于多种应用.
漏极至源极电压:100V
栅-源电压：±20V
Vgs=10V时，导通电阻Rds(on)为90mohm
25°C功率耗散Pd:70W
Vgs 10V 25°C时，连续漏电流Id:17A
工作结温范围:-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
漏极至源极电压:100V
栅-源电压：±20V
Vgs=10V时，导通电阻Rds(on)为90mohm
25°C功率耗散Pd:70W
Vgs 10V 25°C时，连续漏电流Id:17A
工作结温范围:-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
IRF530NPBF中文参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:17 A
Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:24.7 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:79 W
通道模式:Enhancement
晶体管类型:1 N-Channel
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:17 A
Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:24.7 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:79 W
通道模式:Enhancement
晶体管类型:1 N-Channel
IRF530NPBF引脚图
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