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超宽体,超高耐压,光耦兼容,单通道隔离驱动CCi8335系列芯片

2026-02-24 16:49:49阅读量:162

一、新品发布

 

针对1.5kV光伏逆变器应用系统,芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。

 

为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要,CCi8335在耐压方面进行了全方位优化,采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装,同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术,AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV,VISO=8KVrms;VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk, 动态CMTI>150V/ns; 隔离耐压达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。

 

▲超宽体封装 SOP8WW,具有15mm爬电距离

 

二、产品优势与主要特性

 

1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器

2、超高耐压 & 高可靠性专利隔离膜技术,远超增强型隔离标准

VIOWM ≥ 2000VRMS

隔离等级高达 8000VRMS

浪涌能力高达 24kVPK

3、共模瞬态抑制:典型值大于±150V/ns

4、输出驱动侧 VCC的最大工作电压 33V

5、UVLO 四档可选(A-5V, B-8V, C-10V, D-12V)

6、具有 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流

7、60ns 典型传播延迟

8、25ns 最大脉宽失真

9、输入级具有 24V 反向电压处理,反向击穿电压 26V

10、多项国家发明专利,超高耐压&可靠性的隔离膜和封装技术。

 

三、应用场景

 

太阳能逆变器、储能

变频器、直流充电桩

 UPS 和电池充电器

隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动

 

 ▲ 典型应用图

 

四、实测数据

 

CCi8335系列芯片因超高压耐压需求而生,实测数据显示: AC BV和SURGE峰值都超过了24KV, VISO=8KVrms; VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk,动态CMTI>150V/ns, 达到了目前国际领先的隔离耐压水平。


1、超高耐压、超强可靠性高可靠性,远超增强型隔离标准,国际领先

VIOWM ≥ 2000VRMS

隔离等级高达 8000VRMS;

浪涌能力高达 24kV;AC BV ≥ 24kV

在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护

 

 


2、优秀的CMTI性能和抗干扰能力

 

▲ 动态上升沿150GV/S

 

▲隔离器件对地寄生小,载波信号幅度强,动态CMTI超过150V/ns;

 

五、UL1577认证

 

日前,芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试,包括结构检查、隔离耐压测试、重载测试、热老化测试等,获得UL1577认证证书 (File No.E539511, Certificate Number: UL-US-2442758-0),VISO=8000Vrms,AC BV超过20KVrms,surge测试峰值超过20KVpk,隔离耐压业界领先。 

 

 

六、推荐产品

 

商品编号 厂家型号 封装 品牌名称 类目
C47817656 CCi8335SVB-1DX SOP-8WW CrossChip(成都芯进) 隔离式栅极驱动器
标签图标
CrossChip(成都芯进) | 芯片
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