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在现代电力电子设备中,MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)由于其高效、快速的开关性能,广泛应用于电机驱动和DC-DC转换电路中。时科的SKG64N10-T MOS管正是此类应用的理想选择,凭借其卓越的电气特性和高可靠性,成为市场上备受青睐的元器件。
卓越的电气特性
SKG64N10-T的主要电气特性包括:
耐压与电流能力:SKG64N10-T的耐压(BVDSS)为100V,在25℃条件下,其最大连续漏极电流(ID)可达64A。这使得SKG64N10-T在高电压和大电流应用中表现出色,特别适用于需要高功率输出的电机驱动和DC-DC转换器中。
低导通电阻:在栅极电压(VGS)为10V时,SKG64N10-T的导通电阻(RDS(on))不超过10.7mΩ。低导通电阻不仅降低了器件在开关状态下的功耗,还提高了整体电路的能效,使得电机驱动更加节能,DC-DC转换效率更高。
热管理性能:SKG64N10-T采用TO-220封装,具有良好的热管理性能,其结到壳的热阻(RθJC)为1.5℃/W。这意味着在大功率工作时,器件能够有效地将热量散发出去,防止过热,提高了系统的稳定性和可靠性。
功耗与开关性能:SKG64N10-T的最大功耗为83W,具备快速的开关速度和高可靠性。其阈值电压(VGS(th))为3V,确保在低电压控制下也能稳定工作。此外,该MOS管可以在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲,进一步提升了其在苛刻应用环境中的耐用性和可靠性。
适用范围广泛
SKG64N10-T MOS管由于其优异的特性,适用于多种应用场景,特别是在电机驱动和DC-DC转换中:
电机驱动电路:在电机驱动应用中,MOS管的开关速度和导通电阻直接影响电机的响应速度和能效。SKG64N10-T的低导通电阻和快速开关性能,使其在控制电机速度和方向时表现出色,能够实现更高效的电机控制。
DC-DC转换电路:DC-DC转换器需要频繁的高效开关操作来调整输出电压。SKG64N10-T的高耐压和大电流能力,结合其低导通电阻和快速开关速度,使其能够在高频操作下仍保持高效稳定的性能,为DC-DC转换提供了可靠的解决方案。
MOS管在电力电子中扮演着重要角色,其性能直接影响整个电路的效率和稳定性。根据半导体物理学,MOS管的导通电阻(RDS(on))和热管理性能(RθJC)是决定其开关性能和耐用性的关键因素。低导通电阻可以减少导通损耗,提高效率,而良好的热管理性能可以确保在高功率条件下器件不会过热,从而延长其使用寿命。
SKG64N10-T MOS管采用的TO-220封装提供了良好的散热途径,这在高功率应用中尤为重要。其耐压和电流能力使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺,时科成功地将这些特性集成到SKG64N10-T中,使其在电机驱动和DC-DC转换应用中具备出色的表现。
关于時科
時科,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空、储能、快充、电源应用等产品品带来更优质的感知体验。
产品系列涵盖二极管、三极管、肖特基、碳化硅肖特基、氮化镓IC、锂电池保护IC 、IGBT、ESD保护管、整流管、MOSFET等40多个细分品类,超过5000款单品。
CR2450/锂离子电池 | 18.24 | |
STM32F103RCT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 7.21 | |
STM32F407VET6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 12.65 | |
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 | 1.25 | |
MPU-6050/姿态传感器/陀螺仪 | 40.37 | |
MAX485ESA+T/RS-485/RS-422芯片 | 3.4 | |
W25Q128JVSIQ/NOR FLASH | 2.39 | |
TAJA106K016RNJ/钽电容 | 0.355 | |
GRM21BR61H106KE43L/贴片电容(MLCC) | 0.239868 | |
SP3485EN-L/TR/RS-485/RS-422芯片 | 0.8061 |
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