芯片简介
GBI1600TKBR是一款4-60V宽输入、800mA非同步降压DCDC转换器，集成600mΩ高侧功率MOSFET。特性包括0.765V±2.5%反馈基准电压、620kHz固定频率、轻载脉冲跳跃模式(PSM)、100ns最小导通时间及5ms内部软启动。功能框架由高侧MOSFET驱动电路、反馈电压调节模块、使能控制逻辑及过温保护组成。
芯片特点：
输入4V~60V
输出800mA
内置MOS
620kHz
使能
软启动
GOSEMICON(顾邦半导体)+GBI1600TKBR
（DCDC降压-(3)电源输入30V以上-(1)1A以内(小电流)方案）
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操作
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~60V
- 输出电流
- 800mA
- 开关频率
- 620kHz
描述GBI1600是一款4-60V输入电压范围的非同步降压DC-DC转换器,最大输出电流为800mA。集成600mΩ高侧功率MOSFET,固定频率620kHz,具有脉冲跳跃模式和过温保护功能。
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