芯片简介
LN1139BAMR-G是一款高精度、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺，具有高纹波抑制和低压差特性。芯片内置标准电压源、误差校正电路、限流器、相位补偿电路和驱动晶体管，支持外部反馈实现可编程输出。集成过流保护、短路保护和过温保护，并提供POWERGOOD指示功能。特性包括±1.5%输出电压精度、300mV压降、50dB纹波抑制和低静态电流。
芯片特点：
输入8V
输出0.3A
精度±1.5%
功耗:30μA
输出可编程
使能
natlinear(南麟)+LN1139BAMR-G
（LDO-(2)电源输入7V~20V-(2)输出0.1A~1A方案）
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项目参考文件
开源项目参考
| 开源项目名称 | 开源项目介绍 |
|---|---|
| C2842719-LDO方案验证板（A版） | LDO验证板A版：3款SOT-23-3、3款SOT-89-3、2款SOT-23-5、2款SOT-23-6、2款SOT-223。 |
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 输出类型
- 可调
- 工作电压
- 8V
- 输出电流
- 300mA
- 电源纹波抑制比(PSRR)
- 50dB@(1kHz)
描述LN1139系列是采用CMOS工艺制造的高精度、低噪声正电压LDO稳压器。该系列可实现高纹波抑制和低压差，由标准电压源、误差校正、限流电路、相位补偿电路以及驱动晶体管组成。通过外部输出反馈，用户可轻松获得所需电压
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