芯片简介
ICW3126AS6G是一款高效率同步整流降压DC-DC转换器芯片,输入电压范围4.7V至40V,集成170mΩ低侧和410mΩ高侧NMOSFET功率开关,支持1A负载电流。采用自适应恒定导通时间控制架构,具备1MHz开关频率,轻载时工作在PFM模式,重载切换为准PWM模式。集成过温保护、输入欠压锁定、逐周期限流保护及打嗝模式输出短路保护功能,静态电流120μA,关断电流8μA,参考电压精度±2%。
芯片特点:
输入4.7V~40V
输出1A
内置MOS
1MHz
使能
软启动

ICW3126AS6G是一款高效率同步整流降压DC-DC转换器芯片,输入电压范围4.7V至40V,集成170mΩ低侧和410mΩ高侧NMOSFET功率开关,支持1A负载电流。采用自适应恒定导通时间控制架构,具备1MHz开关频率,轻载时工作在PFM模式,重载切换为准PWM模式。集成过温保护、输入欠压锁定、逐周期限流保护及打嗝模式输出短路保护功能,静态电流120μA,关断电流8μA,参考电压精度±2%。
描述ICW3126是一款高效率的同步整流降压DC-DC转换器芯片,输入电压最高可达40V,内部集成两颗低导通电阻的NMOSFET功率开关,可支持1A负载电流。当带轻载时芯片工作在PFM模式,当带重载时芯片工作在连续电流的准PWM模式,开关频率1MHz。芯片采用自适应恒定导通时间控制架构,具有较快的负载瞬态响应。芯片集成过温保护、输入欠压锁定、逐周期限流保护、输出短路保护等功能来提升芯片的可靠性。
3000个/圆盘
总额¥0