芯片简介
专为DDR/QDR内存总线终端设计的非隔离同步整流开关模块，输入支持3.3V/5V/12V，输出精准跟踪VREF参考电压。集成过流保护、使能控制功能，采用高密度封装结构实现50W/in³功率密度，效率最高达87%。模块通过UL/cUL60950等安全认证，适用于需要快速瞬态响应的内存供电场景。
芯片特点：
输入4.5V~5.5V
输出±6A/±8A
600kHz
非隔离
使能
内置MOS
TI(德州仪器)+PTH05050YAH
（DCDC降压-(1)电源输入7V以内-(3)3A以上(大电流)方案）
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库存交期
操作
- 输出通道数
- 1
- 工作电压(Vin)
- 4.5V~5.5V
- 输出电压(Vout)
- 550mV~1.8V
- 输出电流(最大值)
- 6A
描述PTH05050Y 用于 DDR/QDR 存储器的 6A 输出 5V 输入的总线终端电源模块
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