ULN2003ADR
- 厂商名称TI德州仪器
- 元件分类达林顿晶体管阵列驱动
- 中文描述TI德州仪器，ULN2003ADR ，高电压、大电流达林顿晶体管阵列,晶体管-双极-BJT-阵列-7-NPN-达林顿-50V-500mA-表面贴装型-16-SOIC<br />
- 英文描述<p> Texas Instruments ULN2003ADR high-voltage,high-current Darlington transistor arrays.<br /> 50-V, 7-ch darlington transistor array, -20C to 70C </p>
- 数据手册ULN2003ADR数据手册Datasheet PDF
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ULN2003ADR概述
ULx200xA 器件是高电压大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。
单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达林顿对并联可以提供更高的电流。应用 包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器（LED和气体放电）、线路驱动器和逻辑缓冲器。
ULN2002A 器件专门设计用于 14V 至 25V PMOS 器件。该器件的每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻，以将输入电流控制在安全范围内。ULx2003A器件的每个达林顿对都具有一个 2.7k? 的串联基极电阻，可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一起工作。
ULx2004A 器件具有一个 10.5k? 串联基极电阻，允许直接从使用 6V 至 15V 电源电压的 CMOS 器件进行操作。ULx2004A 器件所需的输入电流低于ULx2003A 器件的输入电流，所需电压小于 ULN2002A 器件的所需电压。
ULN2003ADR中文参数
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 500uA，350mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50uA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | - |
| 功率 - 最大值 | - |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 工作温度 | -20°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
ULN2003ADR引脚图
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