STW48NM60N
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述N沟道600 V、0.055 Ohm典型值、44 A MDmesh(TM)II功率MOSFET，TO-247封装
- 英文描述N-Channel MOSFET,39 A,600 V MDmesh,3-Pin TO-247 STMicroelectronics
- 数据手册STW48NM60N数据手册Datasheet PDF
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STW48NM60N概述
STW48NM60N器件是采用第二代MDmesh?技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局结合起来，产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最高的高效率转换器。
特性
100%雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻
特性
100%雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻
STW48NM60N中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | Rds On-漏源导通电阻: | 70 mOhms |
| 产品种类: | MOSFET | Vgs - 栅极-源极电压: | - 25 V, + 25 V |
| 技术: | Si | Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
| 安装风格: | Through Hole | Qg-栅极电荷: | 124 nC |
| 封装 / 箱体: | TO-247-3 | 最小工作温度: | - 55 C |
| 晶体管极性: | N-Channel | 最大工作温度: | + 150 C |
| 通道数量: | 1 Channel | Pd-功率耗散: | 255 W |
| Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | 通道模式: | Enhancement |
| Id-连续漏极电流: | 39 A | 系列: | STW48NM60N |
STW48NM60N引脚图
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