NDT3055L
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, 表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab)SOT-223 T/R
- 数据手册NDT3055L数据手册Datasheet PDF
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NDT3055L概述
NDT3055L是采用高单元密度DMOS技术的N沟道逻辑电平增强型模具MOSFET。这种非常高密度的工艺经过特别定制，以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件特别适用于低压应用，例如DC/DC转换器、PWM电机控制和其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬变能力的电池供电电路。
用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
高功率和电流处理能力
低驱动要求允许直接从逻辑驱动器操作
应用
电源管理，电机驱动与控制，车用
用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
高功率和电流处理能力
低驱动要求允许直接从逻辑驱动器操作
应用
电源管理，电机驱动与控制，车用
NDT3055L中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 4A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-223 | 高度 | 1.6mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 3.56mm |
| 引脚数目 | 3 + Tab | 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ | 长度 | 6.5mm |
| 通道模式 | 增强 | 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 3 W | 晶体管材料 | Si |
NDT3055L引脚图
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