MMBTH81
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类双极晶体管
- 中文描述晶体管 双极-射频, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
- 英文描述PNP 20V 50mA PNP
- 数据手册MMBTH81数据手册Datasheet PDF
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MMBTH81概述
MMBTH81是一款PNP RF晶体管，设计用于250mHz以下的一般RF放大器和混频器应用，集电极电流范围为1至30mA。
20V集电极发射极电压
20V集电极-基极电压
3V发射极-基极电压
50mA连续集电极电流
应用
工业射频通信,电源管理
20V集电极发射极电压
20V集电极-基极电压
3V发射极-基极电压
50mA连续集电极电流
应用
工业射频通信,电源管理
MMBTH81中文参数
| 制造商: | onsemi | 最大工作温度: | + 150℃ |
| 产品种类: | 射频(RF)双极晶体管 | 配置: | Single |
| 系列: | MMBTH81 | 安装风格: | SMD/SMT |
| 晶体管类型: | Bipolar | 封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
| 技术: | Si | 集电极—基极电压 VCBO: | 20 V |
| 晶体管极性: | PNP | 直流电流增益 hFE 最大值: | 60 at 5 mA at 10 V |
| 工作频率: | 600 MHz | 增益带宽产品fT: | 600 MHz (Min) |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min: | 60 | 高度: | 0.93 mm |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 20 V | 长度: | 2.92 mm |
| 发射极 - 基极电压 VEBO: | 3 V | 最大直流电集电极电流: | 50 mA |
| 集电极连续电流: | 50 mA | Pd-功率耗散: | 225 mW |
| 最小工作温度: | - 55℃ |
MMBTH81引脚图
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