IRF840
- 厂商名称Vishay
- 元件分类MOS管
- 中文描述<span>N沟道功率MOSFET，500V</span>
- 英文描述<span>MOSFET，500V</span>
- 数据手册IRF840数据手册Datasheet PDF
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IRF840概述
IRF840是N沟道功率MOSFET，其可切换负载高达500V。Mosfet可以切换消耗高达8A的负载，并且可以通过在栅极和源极引脚之间提供10V的栅极阈值电压来使其导通。由于mosfet用于切换高电流高压负载，因此它具有相对较高的栅极电压，因此不能直接与CPU的I/O引脚一起使用。
特点
N沟道功率MOSFET
连续漏极电流(ID)：8A
栅极阈值电压(VGS-th)为10V(极限=±20V)
漏极至源极击穿电压：500V
漏源电阻(RDS)为0.85欧姆
上升时间和下降时间分别为23nS和20nS
采用To-220封装
应用领域
切换大功率设备
逆变电路
DC-DC转换器
电机控制速度
LED调光器或闪光灯
高速开关应用
IRF840中文参数
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产品型号 |
IRF840 |
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制造商 |
International Rectifier |
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符合REACH |
是 |
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组态 |
单 |
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最大漏极电流(Abs)(ID) |
8.0安 |
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最大漏极电流(ID) |
8.0安 |
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最大电阻下的漏源 |
0.85欧姆 |
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DS击穿电压-最小值 |
500.0伏 |
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场效应管技术 |
金属氧化物半导体 |
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JEDEC-95代码 |
TO-220AB |
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JESD-30代码 |
R-PSFM-T3 |
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JESD-609代码 |
00 |
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元素数 |
1.0 |
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端子数 |
3 |
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操作模式 |
增强模式 |
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最高工作温度 |
150℃ |
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包装主体材料 |
塑料/环氧树脂 |
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包装形状 |
长方形 |
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包装形式 |
法兰安装 |
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峰值回流温度(℃) |
225 |
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极性/通道类型 |
N通道 |
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功耗环境最大值 |
125.0瓦 |
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最大功率耗散(Abs) |
125.0瓦 |
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脉冲漏极电流最大值(IDM) |
32.0安 |
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子类别 |
FET通用电源 |
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终端完成 |
锡/铅(Sn / Pb) |
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终端表格 |
贯穿孔 |
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终端位置 |
单 |
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时间@峰值回流温度-最大值(秒) |
30 |
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晶体管应用 |
交换 |
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晶体管元件材料 |
硅 |
IRF840引脚图
