IRF840PBF
- 厂商名称Vishay
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，500 V，8 A，0.85 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB
- 数据手册IRF840PBF数据手册Datasheet PDF
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IRF840PBF概述
IRF840PBF是一款500V N沟道功率MOSFET，第三代HEXFET®功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计和低导通电阻的最佳组合。该封装普遍适用于功率耗散水平约为50W的所有商业工业应用。
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
175°C工作温度
易于并行
简单的驱动要求
应用
电源管理
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
175°C工作温度
易于并行
简单的驱动要求
应用
电源管理
IRF840PBF中文参数
| 制造商: | Vishay | Id-连续漏极电流: | 8A |
| 产品种类: | MOSFET | Rds On-漏源导通电阻: | 850 mOhms |
| 技术: | Si | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| 安装风格: | Through Hole | Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
| 封装 / 箱体: | TO-220AB-3 | Qg-栅极电荷: | 63 nC |
| 晶体管极性: | N-Channel | 最小工作温度: | - 55 C |
| 通道数量: | 1 Channel | 最大工作温度: | + 150 C |
| Vds-漏源极击穿电压: | 500 V | Pd-功率耗散: | 125 W |
IRF840PBF引脚图
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