DRV5013AGQDBZR
- 厂商名称TI德州仪器
- 元件分类霍尔效应锁存器
- 中文描述高电压（高达38V）、高带宽(30kHz)霍尔效应锁存器
- 英文描述2.5V to 38V Hall Effect Latch Sensor
- 数据手册DRV5013AGQDBZR数据手册Datasheet PDF
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DRV5013AGQDBZR概述
DRV5013器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器，可提供磁检测解决方案（在工作温度范围内具有出色的灵敏度稳定性和集成保护特性）。
磁场由数字双极锁存输出表示。该集成电路(IC)配有一个灌电流能力达30mA的漏极开路输出级。该器件具有2.5V至38V的宽工作电压范围，反极性保护高达–22V，因此适用于各种工业应用。
针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流，提供了内部保护功能。
磁场由数字双极锁存输出表示。该集成电路(IC)配有一个灌电流能力达30mA的漏极开路输出级。该器件具有2.5V至38V的宽工作电压范围，反极性保护高达–22V，因此适用于各种工业应用。
针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流，提供了内部保护功能。
DRV5013AGQDBZR中文参数
制造商:Texas Instruments
产品种类: 霍尔效应锁存器
类型:Hall Effect Latch
工作电源电流:2.7 mA
最大输出电流:30 mA
工作点最小值/最大值:3 mT,9 mT
最小/最大释放点（Brp）:-9 mT,-3 mT
工作电源电压:38 V
最小工作温度:-40 C
最大工作温度:+125 C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
系列:DRV5013
输出类型:Open Drain
电源电压-最大:38 V
电源电压-最小:2.5 V
产品种类: 霍尔效应锁存器
类型:Hall Effect Latch
工作电源电流:2.7 mA
最大输出电流:30 mA
工作点最小值/最大值:3 mT,9 mT
最小/最大释放点（Brp）:-9 mT,-3 mT
工作电源电压:38 V
最小工作温度:-40 C
最大工作温度:+125 C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
系列:DRV5013
输出类型:Open Drain
电源电压-最大:38 V
电源电压-最小:2.5 V
DRV5013AGQDBZR引脚图
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