首次双平台直播:碳化硅肖特基二极管的技术发展史!
2021-04-02 14:43:43阅读量:12223
碳化硅(SiC)器件的出现大大的改善了半导体器件的性能,其材料电热学品质全面优于硅(Si )和 砷化镓(GaAs) 等材料。比如碳化硅肖特基二极管,工作电压应用范围可以扩展到200V以上。
碳化硅肖特基二极管的进化史是怎样的?第一代到第六代技术如何变迁的呢?想要得到解答,请在2021年4月7日晚上19:30前往看点直播或B站观看立创商城直播!
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直播相关
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除了签到专属的空气加湿器奖品,直播现场还将抽取小米鼠标*5、小米自拍杆*5、万能转接头*5和精装孙子兵法*2等精美奖品!
现场嘉宾
瑞能半导体SiC设计开发专家:崔京京老师
直播内容
1、SiC器件产业链及制造过程;
2、SiC器件技术概览;
3、SiC二极管技术解析;
4、SiC二极管应用案例分析。
特别鸣谢:瑞能半导体
瑞能半导体科技股份有限公司,注册于2015年8月5号,运营中心落户上海, 全资子公司和分支机构包括吉林芯片生产基地、上海和英国产品及研发中心、香港物流中心以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。
2018年9月,瑞能半导体可靠性测试实验室及失效分析实验室在江西省南昌县正式开业, 可以对包括二极管,三极管以及可控硅等分立器件产品进行可靠性测试以及失效分析。
自诞生以来,瑞能已走过逾 50 年辉煌历程。作为全球功率半导体行业的佼佼者,瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的双极功率半导体产品组合,公司主要产品主要包括晶闸管和功率二极管等。广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。我们的目标是:优化客户体验,提升运营效率,强化核心技术。