在全球新能源转型加速的浪潮中，储能作为“新型电力系统的稳定器”，正迎来爆发式增长。从工商业储能变流器（PCS）到户外便携储能设备，再到电池管理系统（BMS），功率器件的性能直接决定了储能系统的效率、可靠性与成本控制能力。
合肥矽普半导体深耕功率器件领域多年，以差异化技术布局和场景化产品矩阵，成为储能市场国产替代浪潮中的核心力量。
储能系统对功率器件的“高效、可靠、紧凑”需求日益严苛，传统器件在损耗控制、温度适应性与功率密度上的瓶颈愈发明显。矽普半导体通过工艺与架构的微创新，构建起覆盖不同储能场景的MOSFET技术体系，精准击破行业痛点。
储能市场场景繁杂，从千瓦级家用储能到兆瓦级工商业储能，对器件的电压、电流与封装需求差异显著。矽普半导体构建的“全场景适配”产品体系，已实现储能核心环节的全面覆盖。
在低压储能场景中，矽普SGT MOSFET凭借独特工艺设计实现性能跃升：内阻较传统沟槽型器件显著降低，开关损耗大幅减少。以典型产品SP30N01AGNP为例，其0.55mΩ的超低导通电阻（Vgs=10V时）与415A的强悍通流能力，能有效降低户外便携储能设备的充放电损耗，配合DFN5X6-8L(Clip)封装的高效散热设计，使设备在高温环境下仍保持稳定运行。
针对中高压储能变流器需求，矽普250V/300V低压超结MOSFET实现了关键领域的国产突破。这类曾被国际厂商垄断的规格，通过矽普在8英寸成熟工艺上的优化升级，不仅满足了工业级可靠性要求，更在开关速度与抗浪涌能力上形成优势，成为储能PCS功率回路的理想选择。而其SiC MOSFET则以低栅电荷、高开关频率特性，适配高压储能系统的高频化需求，为大功率储能场景提供高效解决方案。
储能变流器（PCS）：作为能量转换的核心，PCS对器件的高频特性与低损耗要求极高。矽普低压SJ和SiC产品，支持高频开关运行，配合超低导通损耗特性，可使滤波电感体积缩小，同时降低系统散热成本，适配从中小功率到大型储能电站的不同规格需求。
| 商品编号 | Product | Voltage(V) | Id(A) | Vth(V) | Ron Typ.Vgs=10V（mΩ） | Package | Ciss（pF） |
| C48888449 | SP40N01GMT | 40 | 290 | 1.7 | 0.8 | STOLL | 5217 |
| C22466784 | SP80N03BGHTQ | 80 | 130 | 3 | 3.8 | TO-220 | 3444 |
| C42403240 | SP010N02GHTQ | 100 | 200 | 3 | 2.1 | TO-220 | 9499 |
| C22385381 | SP010N02GHTF | 100 | 210 | 3 | 2 | TO-247 | 7100 |
| C42460868 | SP010N01AGHTO | 100 | 430 | 3 | 0.9 | TOLL | 12142 |
| C22385369 | SP012N03BGHTD | 120 | 180 | 3 | 3.7 | TO-263 | 5640 |
| C22466807 | SP015N09GHNK | 150 | 70 | 3 | 9.2 | PDFN5*6 | 3310 |
| C42372346 | SP015N05GHTQ | 150 | 185 | 3 | 5.2 | TO-220 | 5450 |
| C22385385 | SP015N03BGHTF | 150 | 235 | 3.5 | 3.8 | TO-247 | 10402 |
| C22385385 | SP020N08GHTQ | 200 | 120 | 3 | 8.7 | TO-220 | 5300 |
| C54102149 | SP05HF25TF | 250 | 190 | 4 | 5.8 | TO-247 | 10264 |
| C42404765 | SP13HF30TF | 300 | 125 | 3.5 | 13 | TO-247 | 5200 |
| C50199167 | SP50MF65TO | 650 | 50 | 4 | 40 | TOLL | 4240 |
| C48888556 | SP95N65CTO | 650 | 95 | 2.8 | 28 | TOLL | 3090 |
| C45351240 | SP80N120CTK | 1200 | 80 | 2.5 | 13 | TO-247-4 | 3815 |
电池管理系统（BMS）：BMS的保护精度直接关系电池安全。矽普低压MOSFET以低阈值电压、高响应速度特性，实现电池充放电的精准控制，其多种封装形式可满足不同BMS主板的紧凑布局需求。
| 商品编号 | Product | Voltage(V) | Id(A) | Vth(V) | Ron Typ.Vgs=10V（mΩ） | Package |
| C22385418 | SP40N02BGNK | 40 | 120 | 1.8 | 2.3 | PDFN5*6 |
| C22385347 | SP40N01GTO | 40 | 250 | 1.7 | 1 | TOLL |
| C22385420 | SP60N02BGNK | 60 | 120 | 1.7 | 2.3 | PDFN5*6 |
| C22385349 | SP60N01BGHTO | 60 | 330 | 3 | 1.3 | TOLL |
| C22466785 | SP80N03BGHNK | 80 | 110 | 3 | 3.3 | PDFN5*6 |
| C54139946 | SP85N01AGHTO | 85 | 410 | 3 | 0.9 | TOLL |
| C22385350 | SP010N01BGHTO | 100 | 370 | 3 | 1.1 | TOLL |
| C52037197 | SP015N03LGHTO | 150 | 260 | 3 | 3 | TOLL |
| C45351235 | SP020N08GHTO | 200 | 150 | 3 | 8 | TOLL |
便携储能设备：针对户外场景的空间与散热限制，矽普DFN系列封装MOSFET以超低结电容与高效散热设计，在提升设备功率密度的同时，延长续航时间，成为便携储能厂商的优选方案。
| 商品编号 | Product | Voltage(V) | Id(A) | Vth(V) | Ron Typ.Vgs=10V（mΩ） | Package | Ciss（pF） |
| C22385415 | SP30N01BGNK | 30 | 120 | 1.5 | 1.1 | PDFN5*6 | 3062 |
| C54102083 | SP30N01LGNP | 30 | 210 | 1.6 | 0.95 | PDFN5*5 | 2930 |
| C52037201 | SP30N01AGNP | 30 | 415 | 1.6 | 0.55 | PDFN5*6 | 6200 |
| C52037200 | SP30N01ABGTO | 30 | 430 | 1.6 | 0.65 | TOLL | 6200 |
| C45351231 | SP40N06GNJ | 40 | 30 | 1.5 | 6 | PDFN3*3 | 623 |
| C49257248 | SP40N04GNK | 40 | 65 | 1.5 | 4.5 | PDFN5*6 | 885 |
| C42372368 | SP40N01GNK | 40 | 120 | 1.8 | 1.1 | PDFN5*6 | 6200 |
| C49257239 | SP40N01ACGTO | 40 | 275 | 1.7 | 0.85 | TOLL | 5500 |
| C49257272 | SP60N01BGHNK | 60 | 120 | 3 | 1.6 | PDFN5*6 | 6970 |
| C22466785 | SP80N03BGHNK | 80 | 110 | 3 | 4.2 | PDFN5*6 | 3444 |
| C22466791 | SP010N04BGNK | 100 | 100 | 1.8 | 4.5 | PDFN5*6 | 2970 |
| C42404759 | SP010N01BLGHTO | 100 | 350 | 3 | 1.2 | TOLL | 12220 |
| C41355014 | SP30P08NJ | -30 | -40 | -1.6 | 7.5 | PDFN3*3 | 2900 |
| C41355014 | SP60P05GNK | -60 | -110 | -2 | 5.5 | PDFN5*6 | 6185 |
