芯片简介
UCC21330BDR是一款3kVRMS隔离式双通道栅极驱动器，支持4A峰值拉电流和6A峰值灌电流，适用于SiC/GaN器件的高效开关控制。该器件包含隔离电源模块、电荷泵电路、驱动放大器和保护逻辑单元，提供可编程死区时间、UVLO保护、抗尖峰脉冲滤波器，并通过AEC-Q100车规认证，适用于汽车及工业电源应用。
芯片特点：
隔离驱动
输出4A拉电流/6A灌电流
隔离电压3kV
车规级
拉/灌电流4A/6A
隔离电压3kVRMS
电容隔离
双通道
TI(德州仪器)+UCC21330BDR
（栅极驱动-(2)隔离驱动-3kv档次方案）
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操作
- 驱动配置
- 半桥
- 隔离电压(Vrms)
- 3000
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述UCC21330 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。UCC21330 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些高级特性，UCC21330 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
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