TI驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8428RTER 编号：C2857955

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8428 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 35V、1A 双极步进电机驱动器

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1+
￥4.75
10+
￥3.8
30+
￥3.33
100+
￥2.86

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型号：DRV8320HRTVR 编号：C701782

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8320 最大 65V 三相智能栅极驱动器

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1+
￥4.95
10+
￥4.49
30+
￥4.24
100+
￥3.57

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型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

单价：
￥5.09 / 个

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型号：TPS28225DR 编号：C52897

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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1+
￥5.23
10+
￥4.2
30+
￥3.68
100+
￥3.16

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型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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1+
￥5.65
10+
￥4.51
30+
￥3.94
100+
￥3.37

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型号：DRV8212DSGR 编号：C2843766

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8212 具有自动睡眠模式的 12V、4A H 桥电机驱动器

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1+
￥5.88
10+
￥5.21
30+
￥4.59

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型号：DRV2605YZFR 编号：C81079

封装：DSBGA-9

品牌：TI(德州仪器)

DRV2605 具有波形库和自动谐振跟踪功能的 ERM/LRA 触觉驱动器

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1+
￥6.39
10+
￥5.31
30+
￥4.72
100+
￥3.6

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型号：DRV8804PWPR 编号：C114176

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8804 具有串行控制的 60V、2.3A、四通道低侧电机驱动器

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1+
￥6.8
10+
￥5.61
30+
￥4.95
100+
￥3.98
500+
￥3.66

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型号：UCC27614DR 编号：C5218775

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

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