1个P沟道 耐压:12V 电流:16A
- 5+: ¥0.892968 / 个
- 50+: ¥0.740249 / 个
- 150+: ¥0.66389 / 个
- 500+: ¥0.60662 / 个
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¥0.66389 / 个 |
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¥0.60662 / 个 |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
连续漏极电流(Id) | 16A | |
功率(Pd) | 2.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@4.5V,6.7A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.7nF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 590pF |
P沟道MOSFET。VDS最大值=-12V,ID最大值=-16A。
特点:采用先进沟槽技术,低导通电阻(21m?@-4.5V )、低Qg值(60nC)、低门极开启电压(-0.7V),封装大小只有2mm*2mm。
适合手机、平板电脑用,高性价比!适合于PWM应用、负载开关(Load Switch)、手机电池充电等应用。
其余参数如下图所示。