1个N沟道 耐压:700V 电流:8.6A
- 1+: ¥7.52 / 个
- 10+: ¥6.41 / 个
- 50+: ¥5.8 / 个 (折合1管290元)
- 100+: ¥5.11 / 个 (折合1管255.5元)
1+: |
¥7.52 / 个 |
10+: |
¥6.41 / 个 |
50+: |
¥5.8 / 个 (折合1管290元) |
100+: |
¥5.11 / 个 (折合1管255.5元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
功率(Pd) | 35W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 90nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
改进的ESD能力
100%雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的内置电容
很好的制造可再生性