1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
- 10+: ¥0.273754 / 个
- 100+: ¥0.24234 / 个
- 300+: ¥0.226632 / 个
- 3000+: ¥0.164137 / 个 (折合1圆盘492.41元)
10+: |
¥0.273754 / 个 |
100+: |
¥0.24234 / 个 |
300+: |
¥0.226632 / 个 |
3000+: |
¥0.164137 / 个 (折合1圆盘492.41元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
功率(Pd) | 350mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,500mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 600pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 30pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
Vds=60V Rds=2Ω@Vgs=10V Id=300mA |
? Easily Driven Without Buffer
? High-Speed Circuits
? Low Error Voltage