N沟道 耐压:60V 电流:300mA
- 20+: ¥0.149679 / 个
- 200+: ¥0.116169 / 个
- 600+: ¥0.101276 / 个
- 3000+: ¥0.090106 / 个 (折合1圆盘270.32元)
- 9000+: ¥0.085638 / 个 (折合1圆盘256.91元)
- 21000+: ¥0.082659 / 个 (折合1圆盘247.98元)
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¥0.085638 / 个 (折合1圆盘256.91元) |
21000+: |
¥0.082659 / 个 (折合1圆盘247.98元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
功率(Pd) | 830mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,500mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:830mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)